存储技术 关于存储技术:Everspin授权代理非易失性串口mram存储器MR25H256CDF MRAM是一种非易失性存储技术,能够在不须要电源的状况下将其内容保留至多10年。它实用于在零碎解体期间须要保留数据的商业利用。基于MRAM的设施能够为“黑匣子”利用提供解决方案,因为它以SRAM的速度写入数据,同时在产生总功耗之前保留数据。Everspin串行mram是必须应用起码数量的引脚疾速存储和检索数据和程序的利用的…
存储技术 关于存储技术:everspin代理Serial-MRAM芯片MR25H256ACDF可直接替代FRAM “持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设施。MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都宣称具备类似的性能劣势:低电压操作、长寿命和十分高的速度。他们以不同的形式实现这些指标,只管在每种状况下,性能冲破背地都有翻新的资料技术。独创的MRAM将数据位存储为存储单元中电…
存储技术 关于存储技术:EMI501HB08PM45I异步低功耗SRAM可兼容IS63WV1288DBLL8TLI 在过来的几十年中,SRAM畛域已划分为两个不同的产品系列,疾速和低功耗,每个产品都有本人的性能,应用程序和价格。应用SRAM的设施须要它的高速性或低功耗性,但不能同时兼顾两者。然而人们越来越须要具备低功耗的高性能设施,以便在依附便携式电源运行时执行简单的操作。这种需要由新一代医疗设施和手持设施,生产电子产…
存储技术 关于存储技术:Everspin代理非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具备成为通用存储器的后劲,可能将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合,同时具备非易失性和节能性。MRAM能够抵制高辐射,能够在极其温度条件下运行,并且能够防篡改。这使得MRAM实用于汽车、工业、军事和太空利用。
存储技术 关于存储技术:赛普拉斯代理4Mbit异步快速SRAM芯片CY7C1041GN3010ZSXIT SRAM是一种随机存取存储器(RAM),它应用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只有有电源,数据位就会保留在存储器中。与动静RAM(DRAM)不同,SRAM不用定期刷新。SRAM有两种不同的格调:同步和异步。同步SRAM是与称为时钟的内部信号同步的设施。设施只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面,异步SRAM不依赖…
存储技术 关于存储技术:赛普拉斯Serial-FeRAM存储芯片FM33256BG 赛普拉斯的指标市场增长速度超过更宽泛的半导体行业,包含汽车、工业和生产电子市场。平安无线技术包含MCU、存储器、FRAM、模仿IC和USB控制器,提供了物联网畛域竞争劣势,并在新兴市场(包含联网设施和主动驾驶汽车)上获得了飞跃。凭借30多年的行业教训,提供通向新产品、新市场和新支出的交钥匙路径。
存储技术 关于存储技术:Cypress代理铁电存储器FM25V10GTR中文资料 FM25V10-GTR是采纳先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的,并且执行相似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的牢靠数据保留,同时打消了由串行闪存,EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性,开销和零碎级可靠性问题。
存储技术 关于存储技术:Everspin-MR1A16A-MRAM替换赛普拉斯FM28V202A-FRAM Everspin是设计制作和商业交付分立磁阻RAM(MRAM)到市场和应用程序的寰球领导者,在这些市场和应用程序中,数据持久性和完整性,低提早和安全性至关重要。是MRAM产品的长期牢靠制造商。Everspin代理英尚微提供产品相干技术支持。
存储技术 关于存储技术:Cyprss代理串行铁电存储器64Kbit-FM25CL64BGTR FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位,可应用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线进行拜访。FRAM的性能操作相似于串行闪存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR与具备雷同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的次要区别在于FRAM的优越写入性能,高耐用性和低功耗。
存储技术 关于存储技术:CYPRESS代理铁电存储器中文资料FM25V05GTR 赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器,采纳先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。次要提供了151年的牢靠数据保留,同时打消了由串行闪存,EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性,开销和零碎级可靠性问题。并且执行相似于RAM的读取和写入操作。