共计 787 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
MRAM 是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM 具备成为通用存储器的后劲，可能将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具备非易失性和节能性。MRAM 能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得 MRAM 实用于汽车、工业、军事和太空利用。
上面介绍一款 Everspin 非易失性 256Kb 串口 mram 存储器 MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF 是一个串口 MRAM，内存阵列逻辑组织为 32Kx8，应用串行外围接口 (SPI) 的片选 (CS)、串行输出(SI)、串行输入(SO) 和串行时钟 (SCK) 四个引脚接口公共汽车。串行 MRAM 实现了当今 SPIEEPROM 和闪存组件通用的命令子集，容许 MRAM 替换同一插槽中的这些组件并在共享 SPI 总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行 MRAM 提供卓越的写入速度、有限的耐用性、低待机和操作功率以及更牢靠的数据保留。MR25H256ACDF 已公布量产，举荐用于所有新设计。对于更多产品信息可征询 everspin 代理，同时为客户提供产品相干技术支持。
MR25H256ACDF 特色
•无写入提早
•有限写入耐久性
•数据保留超过 20 年
•断电时主动数据保护
•块写爱护
•疾速、简略的 SPI 接口，时钟速率高达 40MHz
•2.7 至 3.6 伏电源范畴
•低电流睡眠模式
•工业和汽车 1 级和 3 级温度
•提供 8 -DFN 或 8 -DFNSmallFlagRoHS 兼容封装。
•间接代替串行 EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和 AEC-Q1001 级和 3 级选项
•湿度敏感度 MSL-3
电气规格
该设施蕴含爱护输出免受高动态电压或电场损坏的电路；然而，倡议采取失常预防措施，防止将任何高于最大额外电压的电压施加到这些高阻抗 (Hi-Z) 电路上。
该设施还蕴含对外部磁场的爱护。应采取预防措施以防止施加比最大额定值中规定的磁场强度更强的任何磁场。