赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI次要采纳先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行相似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。

CYPRESS在包含汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和生产电子业务畛域。次要向客户提供市场当先的MCU、无线 SoC、存储器、模仿IC和USB控制器的解决方案。在疾速倒退的物联网畛域取得了劣势和横跨传统市场的业务笼罩。Cypress代理英尚微给大家分享一款具备扩大温度的2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR。

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种十分高速且低功耗的128X8位CMOS动态SRAM。该产品应用ISSI的高性能CMOS技术制作。这种高度牢靠的过程与翻新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设施。当CE为高电平（勾销抉择）时，器件采纳待机模式，在这种模式下，利用CMOS输出电平，功耗可降至25 µW（典型值）。IS63WV12…

随着零碎复杂性一直减少，包含多个数学函数和算法的简单代码也随之减少，片上存储器内存容量可能有余。因而便携式医疗系统通常须要额定的存储空间，以便设计人员应用内部存储器来减少外部存储器的空间。

随着技术的不断进步，消费类、便携式医疗设施的性能越来越弱小，越来越欠缺，极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性，同时保障了用户衰弱信息的安全性，价格也正当。

Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具备非挥发性和高耐久性。该设施可能以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计合乎所有DDR3 DRAM性能，包含设施端接（ODT）和外部ZQ校准，但具备数据持久性和极高的写周期耐久性的长处。借助Spin-Torqu…

通过智能电表市场的长期验证，富士通FRAM产品在一直优化性能与降低成本的同时也逐渐转向更宽泛的智能表计市场。富士通FRAM在近几年也逐步打入寰球智能水和气表的支流供应链，成为精确记录和存储智能水和气表重要数据的规范元件。富士通FRAM在智能水和气表中的利用，与智能电表相似，如非易失性与高写入耐久性确保了精确…

Everspin半导体为环境刻薄的利用，如军事、航空航天、工业和汽车零碎等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中应用Everspin的温度范畴更大的4Mbit，该零碎将被搭载在日本的一颗钻研卫星发射进入太空。

CHDFS 次要解决大数据场景下海量数据存储和数据分析，可能为大数据用户在无需更改现有代码的根底上，将本地自建的 HDFS 文件系统无缝迁徙至具备高可用性、高扩展性、低成本、牢靠和平安的 CHDFS 上。以此实现存算拆散，实现计算节点可动静的扩缩容。

一般来说，存储结构设计的外围是确保磁性隧道结所表征的数据能够疾速读出，并且可能依据须要疾速进行扭转，另外还有一些工程上的设计比方重叠设计、数据密度晋升等。而在数据读写方面，还会存在应用磁场写入法和电流写入法两种齐全不同的办法。