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赛普拉斯型号 CY15B104Q-LHXI 次要采纳先进铁电工艺的 4Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 FRAM 是非易失性的，并且执行相似于 RAM 的读取和写入操作。它提供了 151 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。
CY15B104Q-LHXI 是串行 FRAM 存储器。存储器阵列在逻辑上组织为 524,288×8 位，可应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行拜访。FRAM 的性能操作相似于串行闪存和串行 EEPROM。CY15B104Q-LHXI 与具备雷同引脚输入的串行闪存或 EEPROM 之间的次要区别在于 FRAM 的优越写入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS 代理英尚微提供相干技术支持。
8 引脚 TDFN 引脚排列
与串行闪存和 EEPROM 不同，CY15B104Q-LHXI 以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。CY15B104Q-LHXI 可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1 亿倍的写周期。
这些性能使 CY15B104Q-LHXI 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。例子包含数据收集（可能是要害的写周期数）到要求刻薄的工业管制，在这些状况下，串行闪存或 EEPROM 的长写入工夫可能会导致数据失落。
CY15B104Q-LHXI 为串行 EEPROM 或闪存的用户提供了实质性的益处，能够作为硬件的代替产品。CY15B104Q-LHXI 铁电存储器应用高速 SPI 总线，从而加强了 FRAM 技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施 ID，该 ID 容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至 +85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。
记忆体架构
当拜访 CY15B104Q-LHXI 时，用户寻址每个 8 个数据位的 512K 单元。这八个数据位被串行移入或移出。应用 SPI 协定拜访地址，该协定包含一个芯片抉择（容许总线上有多个设施），一个操作码和一个三字节地址。地址范畴的高 5 位是“无关”值。19 位的残缺地址惟一地指定每个字节地址。
CY15B104Q-LHXI FRAM 的大多数性能要么由 SPI 接口管制，要么由板载电路解决。存储器操作的拜访工夫基本上为零，超出了串行协定所需的工夫。也就是说，以 SPI 总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或 EEPROM 不同，因为以总线速度进行写操作，因而无需轮询设施是否处于就绪状态。到能够将新的总线事务转移到设施中时，写操作就实现了。界面局部将对此进行具体阐明。
串行外设接口（SPI）总线
CY15B104Q-LHXI 是 SPI 从设施，工作速度高达 40MHz。该高速串行总线提供了与 SPI 主设施的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具备容许间接接口的硬件 SPI 端口。对于不应用微控制器的一般端口引脚，应用一般端口引脚来模仿端口很简略。CY15B104Q 工作在 SPI 模式 0 和 3。
