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FM25CL64B-GTR 是串行 FRAM 存储器。存储器阵列在逻辑上组织为 8,192×8 位，可应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行拜访。FRAM 的性能操作相似于串行闪存和串行 EEPROM。FM25CL64B-GTR 与具备雷同引脚排列的串行闪存或 EEPROM 之间的次要区别在于 FRAM 的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
FM25CL64B-GTR 是采纳高级铁电工艺的 64Kb 非易失性存储器。铁电存储器或 FRAM 是非易失性的，并且执行相似于 RAM 的读取和写入操作。它提供了 151 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25CL64B-GTR 以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25CL64B-GTR 铁电存储器可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1 亿倍的写周期。
这些性能使 FM25CL64B-GTR 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。例子包含数据收集（可能是要害的写周期数）到要求刻薄的工业管制，在这些状况下，串行闪存或 EEPROM 的长写入工夫会导致数据失落。
FM25CL64B-GTR 为串行 EEPROM 或闪存的用户提供了实质性的益处，能够作为硬件的代替产品。FM25CL64B-GTR 应用高速 SPI 总线，从而加强了 FRAM 技术的高速写入能力。在–40℃至 +85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。
耐力
FM25CL64B-GTR 器件至多能够被拜访 1014 次，能够进行读取或写入。FRAM 存储器具备读取和还原机制。因而，对于存储阵列的每次拜访（读取或写入），将按行施加持久周期。FRAM 体系结构基于 1K 行（每个 64 位）的行和列的阵列。一次读取或写入单个字节还是全副八个字节都将在外部拜访整行。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。一个 64 字节反复循环的耐久性计算，该循环包含一个操作码，一个起始地址和一个程序的 64 字节数据流。这导致每个字节在循环中经验一个耐力周期
