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赛普拉斯 FM25V05-GTR 是一款非易失性铁电存储器，采纳先进铁电工艺的 512Kb 非易失性存储器。次要提供了 151 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。并且执行相似于 RAM 的读取和写入操作。
FM25V05-GTR 是串行 FRAM 存储器。逻辑上将存储器阵列组织为 65,536×8 位，并应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线对其进行拜访。FRAM 的性能操作相似于串行闪存和串行 EEPROM。FM25V05-GTR 与具备雷同引脚排列的串行闪存或 EEPROM 之间的次要区别在于 FRAM 的优异写入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS 代理英尚微可提供产品相干技术支持服务。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V05-GTR 以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25V05-GTR 可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1 亿倍的写周期。
这些性能使 FM25V05-GTR 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。例子包含数据收集（可能是要害的写周期数）到要求刻薄的工业管制，在这些状况下，串行闪存或 EEPROM 的长写入工夫可能会导致数据失落。
FM25V05-GTR 作为串行 EEPROM 或闪存的用户，可作为硬件的替代品而取得实质性益处。FM25V05-GTR 应用高速 SPI 总线，从而加强了 FRAM 技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施 ID，该 ID 容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至 +85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。
引脚封装
记忆体架构
拜访 FM25V05-GTR 时，用户对每个 8 个数据位的 64K 地址进行寻址。这八个数据位被串行移入或移出。应用 SPI 协定拜访地址，该协定包含一个芯片抉择（容许总线上有多个设施），一个操作码和一个 2 字节地址。16 位的残缺地址惟一地指定每个字节地址。
FM25V05-GTR 的大多数性能要么由 SPI 接口管制，要么由板载电路解决。存储器操作的拜访工夫基本上为零，超出了串行协定所需的工夫。也就是说，以 SPI 总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或 EEPROM 不同，因为以总线速度进行写操作，因而无需轮询设施是否处于就绪状态。到能够将新的总线事务转移到设施中时，写操作就实现了。界面局部将对此进行具体阐明。
串行外设接口–SPI 总线
FM25V05-GTR 是 SPI 从设施，运行速度高达 40MHz。该高速串行总线提供了与 SPI 主设施的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具备容许间接接口的硬件 SPI 端口。对于不带微控制器的微控制器，应用一般端口引脚来仿真端口非常简单。FM25V05-GTR 在 SPI 模式 0 和 3 下运行。
对于 Cypress
Cypress 次要针对增长速度比整体半导体行业更快的翻新市场，包含汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和生产电子业务畛域。向客户提供市场当先的 MCU、无线 SoC、存储器、模仿 IC 和 USB 控制器的解决方案。让在疾速倒退的物联网畛域取得了劣势和横跨传统市场的业务笼罩。
