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SRAM 是一种随机存取存储器 (RAM)，它应用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只有有电源，数据位就会保留在存储器中。与动静 RAM(DRAM) 不同，SRAM 不用定期刷新。SRAM 有两种不同的格调：同步和异步。同步 SRAM 是与称为时钟的内部信号同步的设施。设施只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面，异步 SRAM 不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立刻开始向内存中读取或写入信息。
赛普拉斯为网络、汽车、生产电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种利用提供各种高速、低功耗和牢靠的 SRAM。凭借多样化的异步、同步和双端口 SRAM 产品组合以及稳固供给和长期产品反对的承诺，赛普拉斯是首选的 SRAM 供应商。英尚微代理介绍一款市面上比拟受欢迎的一款赛普拉斯 4Mbit 异步 SRAM。
CY7C1041GN30-10ZSXIT 是一款是高性能 CMOS 疾速动态 RAM，按 16 位组织为 256K 字。容量 4Mbit 的高速异步疾速 SRAM, 访问速度 10ns/15ns，低流动和待机电流，工作电压范畴 2.2V~3.6V，1.0- V 数据保留，工作温度 -40℃~ 85℃，具备 TTL 兼容的输出和输入，封装采纳无铅 44-pinTSOPII。
CY7C1041GN30-10ZSXIT 数据写入通过将芯片使能 (CE) 和写入使能 (WE) 输出置为低电平来执行，同时在 I /O0 至 I /O15 上提供数据并在 A0 至 A17 引脚上提供地址。字节高使能 (BHE) 和字节低使能 (BLE) 输出管制对指定存储器地位的高字节和低字节的写操作。BHE 通过 I /O15 管制 I /O8，BLE 通过 I /O7 管制 I /O0。
数据读取是通过将芯片使能 (CE) 和输入使能 (OE) 输出置为低电平并在地址线上提供所需地址来执行的。读取数据可通过 I / O 线（I/O0 到 I /O15）拜访。字节拜访能够通过置位所需的字节使能信号（BHE 或 BLE）来执行，以从指定地址地位读取数据的高字节或低字节。
在以下事件期间，所有 I /O（I/O0 到 I /O15）都处于高阻抗状态：
■设施被勾销抉择(CEHIGH)
■管制信号（OE、BLE、BHE）有效
借助片上硬件 ECC（纠错码），赛普拉斯的 SRAM 能够在线执行所有与 ECC 相干的性能，无需干涉。更高能量的外星辐射能够翻转多个相邻位，导致多位谬误。ECC 的单比特谬误检测和纠正能力由比特交错计划补充，以避免多比特谬误的产生。这些个性独特显着进步了软错误率 (SER) 性能，从而实现低于 0.1FIT/Mbit 的行业当先 FIT 率。
