共计 761 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
MRAM 是一种非易失性存储技术，能够在不须要电源的状况下将其内容保留至多 10 年。它实用于在零碎解体期间须要保留数据的商业利用。基于 MRAM 的设施能够为“黑匣子”利用提供解决方案，因为它以 SRAM 的速度写入数据，同时在产生总功耗之前保留数据。Everspin 串行 mram 是必须应用起码数量的引脚疾速存储和检索数据和程序的利用的现实存储器。
Everspin 型号 MR25H256CDF 是一种串行 MRAM，其存储器阵列逻辑组织为 32Kx8，应用串行外围接口的片选 (CS)、串行输出(SI)、串行输入(SO) 和串行时钟 (SCK) 四个引脚接口 (SPI) 总线。串行 MRAM 实现了当今 SPI EEPROM 和闪存组件通用的命令子集，容许 MRAM 替换同一插槽中的这些组件并在共享 SPI 总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行 MRAM 提供卓越的写入速度、有限的耐用性、低待机和操作功率以及更牢靠的数据保留。
MR25H256CDF 特色
•无写入提早
•有限写入耐久性
•数据保留超过 20 年
•断电时主动数据保护
•块写爱护
•疾速、简略的 SPI 接口，时钟速率高达 40 兆赫兹
•2.7 至 3.6 伏电源范畴
•低电流睡眠模式
•工业和汽车 1 级和 3 级温度
•提供 8 -DFN Small Flag RoHS 兼容封装。
•间接代替串行 EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和 AEC-Q1001 级和 3 级选项
•湿度敏感度 MSL-3
Everspin 是业余设计和制作 MRAM 和 STT-MRAM 的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为 MRAM 用户奠定了弱小的根底。Everspin 一级代理英尚微电子可为用户提供驱动和例程等技术方面反对。