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FM25V10-GTR 是采纳先进铁电工艺的 1Mbit 非易失性存储器。铁电存储器或 FRAM 是非易失性的，并且执行相似于 RAM 的读取和写入操作。它提供了 151 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。
FM25V10-GTR 是串行 FRAM 存储器。存储器阵列在逻辑上被组织为 131,072×8 位，并应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行拜访。FRAM 的性能操作相似于串行闪存和串行 EEPROM。FM25V10-GTR 与具备雷同引脚排列的串行闪存或 EEPROM 之间的次要区别在于 FRAM 的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V10-GTR 以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25V10-GTR 可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1 亿倍的写周期。
这些性能使 FM25V10-GTR 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用，例如数据收集（可能是要害的写入周期数）到刻薄的工业管制，而串行闪存或 EEPROM 的较长写入工夫会导致数据失落。
FM25V10-GTR 作为串行 EEPROM 或闪存的用户，可作为硬件的替代品而取得实质性益处。FM25V10-GTR 应用高速 SPI 总线，从而加强了 FRAM 技术的高速写入能力。FM25VN10 提供了惟一的序列号，该序列号是只读的，可用于辨认电路板或零碎。两种设施都蕴含一个只读的设施 ID，主机能够通过该 ID 来确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至 +85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。
耐力
FM25V10-GTR 器件至多能够被拜访 1014 次，能够进行读取或写入。FeRAM 存储器具备读取和还原机制。因而，对于存储阵列的每次拜访（读取或写入），将按行施加持久周期。FRAM 体系结构基于每个 64 位的 16K 行的行和列的阵列。整个行在外部拜访一次，无论是读取还是写入一个字节或全副八个字节。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。下图显示了一个 64 字节反复循环的耐久性计算，该循环包含一个操作码，一个起始地址和一个程序的 64 字节数据流。这将导致每个字节在整个循环中经验一个长久周期。即便在 40 MHz 时钟速率下，FRAM 的读写持久性实际上也是有限的。
记忆操作
SPI 接口具备高时钟频率，彰显了 FRAM 技术的疾速写入能力。与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V10-GTR 能够以总线速度执行程序写入。不须要页面寄存器，并且能够执行任何数量的程序写入。
惟一序列号（仅 FM25VN10）
FM25VN10 器件蕴含一个只读的 8 字节序列号。它能够用来惟一地标识电路板或零碎。序列号包含一个 40 位惟一编号，一个 8 位 CRC 和一个 16 位编号，能够依据客户的要求进行定义。如果不要求客户特定号码，则 16 位客户标识符为 0x0000。
通过收回 SNR 操作码（C3h）来读取序列号。8 位 CRC 值可用于与控制器计算出的值进行比拟。如果两个值匹配，则阐明从站和主站之间的通信没有谬误。该函数用于计算 CRC 值。为了执行计算，将 7 个字节的数据依照从该局部读取的程序填充到内存缓冲区中，即字节 7，字节 6，字节 5，字节 4，字节 3，字节 2，字节 1。序列号。计算是对 7 个字节执行的，后果应与 8 字节 CRC 值字节 0 的最初一个字节相匹配。
