标签： 存储技术

国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步疾速随机动态存储器，位宽8X1M字位。该…

FRAM是一种非易失性存储器产品，具备读写耐久性高、写入速度快、功耗低等长处，富士通推出了具备并行接口型号MB…

在MRAM这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会接受的宏大电压，使得数据的保留、写入耐久性，以及写入速度三者往往不…

SRAM是具备静止存取性能的内存，不须要刷新电路即能保留它外部存储的数据。SRAM尽管速度较快，不须要刷新的动…

一、概述一些用户应用即时通信 IM 产品开发实现本人的聊天业务，但对于聊天之间的音讯无奈很好的去管控内容是否违…

从人工驾驶到辅助驾驶再到全自动驾驶，社会正在将人为操纵的所有转向电子管制。尤其是近两年，L3甚至以上的汽车越来…

性能概述FM25V02A是应用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM雷同，…

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采纳了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性…

MR10Q010是现实的存储器解决方案，实用于必须应用大量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装疾…

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不须要用…