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疾速异步型 SRAM，存取时间为 35ns（或更短）的异步型 SRAM 可被归类为“疾速”异步型 SRAM。
国产 SRAM 芯片 EMI516NF16LM-10I 是容量 16Mbit 异步疾速随机动态存储器，位宽 8X1M 字位。该器件采纳先进的 CMOS 工艺和基于 6 -TR 的单元技术制作，专为高速电路技术而设计。它特地实用于高密度高速零碎利用。
EMI516NF16LM-10I 应用 8 条公共输出和输入线，并具备一个输入使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址拜访工夫快。封装采纳 48FBGA。代理英尚国内有限公司反对提供样品测试及技术支持。
EMI516NF16LM-10I 特点
•快速访问工夫：10ns
•CMOS 低功耗待机(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.) 工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
•3.3V 电源
•TTL 兼容输出和输入
•齐全动态操作，无需时钟或刷新
•三态输入
•数据字节管制(x16 模式)LB:I/O0~I/O7,UB:I/O8~I/O15
•规范 48FBGA 封装类型
•合乎 ROHS
•工业温度
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用芯片 / 小型 SOC 芯片及 SRAM 芯片的整体解决方案，提供翻新、高品质、高性价比、供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件 Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。