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性能概述
FM25V02A 是应用高级铁电工艺的 256Kbit 非易失性存储器。FRAM 是非易失性的；与 RAM 雷同，它可能执行读和写操作。它提供 151 年的牢靠数据保留工夫，并解决了由串行闪存、EEPROM 和其余非易失性存储器造成的复杂性、开销和零碎级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相干反对。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V02A 以总线速度执行写操作。不会产生写提早。每个字节胜利传输到器件后，数据立刻被写入到存储器阵列内。这时能够开始执行下一个总线周期而不须要轮询数据。铁电存储器与其余非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A 可能反对 1014 次读 / 写周期，或反对比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。
因为具备这些个性，因而 FM25V02A 实用于须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。利用的范畴包含从数据采集（其中写周期数量是十分重要的）到刻薄的工业管制（其中串行闪存或 EEPROM 的较长写工夫会使数据失落）。
作为硬件代替时，FM25V02A 为串行 EEPROM 或闪存的用户提供大量便当。FM25V02A 应用高速的 SPI 总线，从而能够加强 FRAM 技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施 ID，通过该 ID，主机能够确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到 +85℃的工业级温度范畴内，该设施标准失去保障。
个性
■256Kbit 铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为 32K×8
❐高耐久性：100 万亿（1014）次的读 / 写操作
❐151 年的数据保留工夫
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■十分快的串行外设接口（SPI）
❐频率高达 40MHz
❐串行闪存和 EEPROM 的硬件间接代替
❐反对 SPI 模式 0（0,0）和模式 3（1,1）
■精细的写入爱护计划
❐应用写爱护（WP）引脚提供硬件爱护
❐应用写禁用指令提供软件保护
❐可为 1 /4、1/ 2 或整个阵列提供软件模块爱护
■设施 ID
❐制造商 ID 和产品 ID
■低功耗
❐频率为 40MHz 时，无效电流为 2.5mA
❐待机电流为 150mA
❐睡眠模式电流为 8mA
■工作电压较低：VDD=2.0V 到 3.6V
■工业温度范畴：–40℃~+85℃
■封装
❐8 引脚小造型集成电路（SOIC）封装
❐8 引脚扁平无引脚（DFN）封装
■合乎有害物质限度（RoHS）
封装引脚
FM25V02A 是一种采纳先进铁电工艺的 256Kbit 非易失性存储器。FRAM 是非易失性的，执行相似于 ram 的读取和写入操作。它提供了 151 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存、EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性、开销和零碎级可靠性问题。
