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cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN 采纳了高级铁电工艺的高性能 4Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器（即 FRAM）与 RAM 雷同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供 151 年的牢靠数据保留工夫，并解决了由串行闪存和其余非易失性存储器造成的复杂性、开销和零碎级可靠性的问题。
与串行闪存不同的是，CY15B104QSN 以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的提早。在每个字节胜利传输到器件后，数据立刻被写入到存储器阵列内。这时能够开始执行下一个总线周期而不须要轮询数据。与其余非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。CY15B104QSN 可能提供 1014 次的读 / 写周期，或反对比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。因为具备这些个性，因而 CY15B104QSN 十分实用于须要频繁或疾速写操作的非易失性存储器利用。示例的范畴包含从数据收集（其中写周期数量是十分重要的）到满足工业级管制（其中串行 Flash 的较长写工夫会使数据失落）。
CY15B104QSN 将 4Mbit FRAM 与高速度四线 SPI（QPI）SDR 和 DDR 接口相结合，从而加强铁电存储器技术的非易失性写入性能。该器件蕴含一个只读的器件 ID 和惟一 ID 个性，通过它们，SPI 总线主设施能够确定器件的制造商、产品容量、产品版本和惟一 ID。该器件蕴含一个惟一只读序列号，可用来辨认某个电路板或零碎。
该器件反对片上 ECC 逻辑，能够在每个 8 字节数据单元内检测和纠正单比特谬误。该器件还蕴含在 8 字节数据单元中提供双比特错误报告的扩大性能。CY15B104QSN 还反对循环冗余校验（CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。代理商英尚微反对提供产品技术支持。
性能
■4Mbit 铁电性随机存取存储器（FRAM）的逻辑组织形式为 512Kx8
❐提供了一百万亿次（1014）的读 / 写周期，简直为有限次数的耐久性。
❐151 年数据保留工夫
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■复线和多线 I / O 串行外设接口（SPI）
❐串行总线接口 SPI 协定
❐反对 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1），实用于所有 SDR 模式转换
❐反对 SPI 模式 0（0，0），实用于所有 DDR 模式转换
❐扩大型 I /OSPI 协定
❐双线 SPI（DPI）协定
❐四线 SPI（QPI）协定
■SPI 时钟频率
❐最高 108MHz 频率 SPI 的单倍数据速率（SDR）
❐最高 54MHz 频率 SPI 的双倍数据速率（DDR）
■芯片内执行（XIP）模式下的存储器读 / 写操作
■写入爱护，数据安全性，数据完整性
■应用写爱护（WP）引脚提供硬件爱护
■软件模块爱护
■进步数据完整性的纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC）
❐检测并纠正但比特谬误的 ECC。在产生双比特谬误时，它将不纠正错误，但将通过 ECC 状态寄存器进行错误报告
❐CRC 将检测原始数据的任意意外更改
■扩大的电子签名
❐器件 ID 蕴含制造商 ID 和产品 ID
❐惟一 ID
❐用户可编程序列号。
■专用 256 字节非凡扇区 FRAM
❐专用非凡扇区写和读操作
❐内容能够在最多 3 个规范回流焊周期内放弃不变
■高速度，低功耗
❐SPISDR 频率为 108MHz 时，无效电流为 10mA（典型值）
❐QSPISDR 频率为 108MHz 并且 QSPIDDR 频率为 54MHz 时，无效电流为 16mA（典型值）
❐待机电流为 110µA（典型值）
❐深度掉电模式电流为 0.80µA（典型值）
❐休眠模式电流为 0.1µA（典型值）
■低电压操作：
❐CY15B104QSN：VDD=1.8V 到 3.6V
■工作温度范畴：–40℃到 +85℃
■封装
❐8pin 小型塑封集成电路（SOIC）封装
❐8pin 网格阵列四方扁平无引线（GQFN）封装
■合乎有害物质限度规范（RoHS）
CY15B104QSN 是一个串行 FRAM 存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 524,288 ×8 位。通过应用工业规范的串行外设接口（SPI）总线能够拜访该存储器阵列。FRAM 的性能操作与复线 SPI EEPROM 或复线 / 双线 / 四线 SPI 闪存的性能操作雷同。CY15B104QSN 与具备雷同引脚散布的串行闪存之间的次要区别在于 FRAM 具备更好的写性能、高的耐久性和较低的功耗。