关于存储技术:1Mbit存储国产SRAM芯片EMI501NL16VM55I

SRAM 是具备静止存取性能的内存，不须要刷新电路即能保留它外部存储的数据。SRAM 尽管速度较快，不须要刷新的动作，然而也有毛病，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：
•长处，速度快，不用配合内存刷新电路，可进步整体的工作效率。
•毛病，集成度低，功耗较大，雷同的容量体积较大，而且价格较高，大量用于关键性零碎以提高效率。

本篇文章次要介绍一款 1Mbit 存储国产 SRAM 芯片 EMI501NL16VM-55I

伟凌创芯 EMI501NL16VM-55I 采纳的是 EMl 先进的全 CMOS 工艺技术制作，位宽 64Kx 16 位，电源电压为 2.7V~3.6V，反对三态输入和 TTL 兼容和工业温度范畴和芯片级封装，以实现零碎设计的用户灵活性。还反对低数据放弃电压，以实现低数据放弃电流的电池备份操作。封装采纳规范的 44TSOP2。

异步低功耗 SRAM 通常具备较低的访问速度，Taa 在 55ns 或 70ns。这类 SRAM 将功耗，特地是待机电流 (Isb1, Isb2) 降到了最低，以满足挪动设施的要求。典型的 Icc 能够达到 1mA 且 Isb1/Isb2 降到 1uA 的程度。这类存储器在生产电子、、POS、打印机、手机、汽车医疗设施等畛域有着宽泛的利用。