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FRAM 是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如 EEPROM、闪存）相比，FRAM 不须要用于数据保留的备用电池，具备更高的读 / 写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
富士通的 FRAM（铁电随机存取存储器）被用作电弧事件发生器和考察卫星（AEGIS）的要害存储器，HORYU-IV 搭载的 FRAM 利用其写入速度快、读写周期长、低功耗、高可靠性等优异的电子个性，用于记录观测数据。富士通在 FRAM 利用于 IC 卡、电表和机器人机床方面有着多年的丰盛教训。这一次，展现了太空工作作为卫星组件的新利用。
富士通 FRAM 其性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，并为屡次读写操作提供更高的速度和耐用性。FRAM 是非易失性的，但在 RAM 等其余方面运行。这种突破性的存储介质用于各种利用，包含智能卡、RFID、平安和许多其余须要高性能非易失性存储器的利用。
独立 FRAM 提供了将 FRAM 异化到任何须要高速非易失性存储器的零碎的灵活性。FRAM 不须要电池来备份其数据，从而在整个零碎中节俭了大量老本和电路板空间。它能够用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据能够在当前应用。这些存储的数据可用于重置设施、剖析上次状态和激活复原操作。逐字节随机拜访使内存治理更无效。
FRAM 只是一种像 RAM 一样运行的高速非易失性存储器。这容许程序员依据须要灵便地调配 ROM 和 RAM 存储器映射。它为最终用户发明了在底层对 FRAM 进行编程以依据他们的集体爱好进行定制的机会。独立的 FRAM 容许设计人员施展创造力，在宽泛的设计中摸索和应用 FRAM。
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