共计 739 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
在 MRAM 这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会接受的宏大电压，使得数据的保留、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所衡量。这意味着即便 STT MRAM 技术曾经靠近成熟，其受到的限度仍让它无奈满足高速 RAM 利用必须兼具高速写入、有限耐久性，以及可承受的数据保留能力之需要。
STT-MRAM（也称为 STT-RAM 或有时称为 ST-MRAM 和 ST-RAM）是一种高级类型的 MRAM 设施。与惯例设施相比，STT-MRAM 可实现更高的密度、低功耗和更低的老本。STT-MRAM 绝对于 ToggleMRAM 的次要劣势是可能扩大 STT-MRAM 芯片以更低的老本实现更高的密度。
STT-MRAM 具备成为当先存储技术的后劲，因为它是一种高性能存储器（能够挑战 DRAM 和 SRAM），能够远低于 10nm 并挑战闪存的低成本。
STT 代表自旋转移扭矩。在 STT-MRAM 设施中，应用自旋极化电流翻转电子的自旋。这种成果是在磁性隧道结 (MTJ) 或自旋阀中实现的，STT-MRAM 器件应用 STT 隧道结(STT-MTJ)。通过使电流通过薄磁性层来产生自旋极化电流。该电流而后被疏导到更薄的磁性层，该磁性层将角动量转移到扭转其自旋的薄层。
Everspin 的 MRAM 技术应用自旋扭矩转移个性，即通过极化电流操纵电子的自旋，以建设所需的自在层磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。与 Toggle MRAM 相比，自旋转移扭矩 MRAM 或 STT-MRAM 显着升高了开关能量，并且具备高度可扩展性，可实现更高密度的存储器产品。第三代 MRAM 技术应用垂直 MTJ。开发了具备高垂直磁各向异性的资料和垂直 MTJ 堆栈设计，可提供长数据保留、小单元尺寸、更大密度、高耐久性和低功率。代理商英尚微电子反对提供产品利用计划及技术支持。