ISSI次要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。为汽车、通信、数字生产、以及工业和医疗等次要市场设计开发和销售高性能集成电路的技术翘楚。

安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一SRAM存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司领有国内出名设 计专家…

静态数据随机存储器存储器（SRAM）是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就能够恒常维持。SRAM不必更新电源电路即能贮存它內部贮存的数据信息。S…

Disk /dev/cciss/c0d0: 146.7 GB, 146778685440 bytes255 heads, 63 sectors/track, 17844 cylindersUnits = cylinders of 16065 * 512 = 8225280 bytes能够看到几个名词：heads/sectors/cylinders，别离就是磁头/扇区/柱面，每个扇区512byte（当初新的硬盘每个扇区有4K）了;硬盘容量就是headssectorscylinders512=25563…

Everspin Technologies公司是寰球当先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制作领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。凭借在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品，Everspin建设了世界上MRAM用户最弱小，发…

ISSI IS61WV25616BLL是一款采纳ISSI的高性能CMOS技术制作的高速4Mb疾速异步SRAM芯片，按16位262,144个字组织。这种高度牢靠的工艺与翻新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的器件。通过应用芯片使能和输入使能输出、可轻松扩大内存。低电平无效写使能 管制存储器的写入和读取。 数据字节容许拜访高字节和低字…

Everspin科技有限公司是寰球当先的设计, 制作嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，因为MRAM能够保持数据持久性和完整性、低功耗等个性，在利用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，利用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科…

铁电存储器FRAM是一种具备疾速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不须要备用电池来保留数据，并且具备更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。明天进行并口FRAM与SRAM的比拟。

什么是FRAM？FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它应用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）的个性，具备写入速度更快、读/写循环寿命长、功耗低等特点。

富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保障写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM雷同，TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具备与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范畴内运行。