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Everspin 科技有限公司是寰球当先的设计, 制作嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商，自从 Everspin 第一款产品进入市场，因为 MRAM 能够保持数据持久性和完整性、低功耗等个性，在利用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，利用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建设了最弱小、最迅速的根底。
MR25H40CDF 是 Everspin 旗下一款容量为 4Mb 的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。位宽 512K x 8。MR25H40CDF 领有 35ns 的读 / 写周期（无写入提早），以及杰出的耐读 / 写能力。数据放弃期长达 20 年以上而不会失落，并会在掉电时由低压克制电路主动提供爱护，以避免在非工作电压期间写入。对于必须应用大量 I / O 引脚疾速存储和检索数据和程序的利用，是现实的内存解决方案。
MR25H40CDF 具备串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读 / 写时序，没有写提早和有限的读 / 写耐久性。与其余串行存储器不同，MR25H40CDF 系列的读取和写入都能够在内存中随机产生，写入之间没有提早。
MR25H40CDF 系列可在宽泛的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。MR25H40 (40MHz) 提供工业级（-40℃至 +85℃）、扩大级（-40 至 105℃）和 AEC-Q100 1 级（-40℃ 至 +125℃）工作温度范畴选项。采纳 5 x 6mm、8 引脚 DFN 封装。引脚排列与串行 SRAM、EEPROM、闪存和 FeRAM 产品兼容。用 MRAM 代替电池供电的 SRAM 解决方案，并打消了组装电池以及可靠性问题和不利因素。everspin 代理英尚微电子反对提供样品测试及技术支持。