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铁电存储器 FRAM 是一种具备疾速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM 不须要备用电池来保留数据，并且具备更高的读 / 写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。明天进行并口 FRAM 与 SRAM 的比拟。
并口 FRAM vs SRAM
具备并行接口的 FRAM 与电池备用 SRAM 兼容，能够代替 SRAM。通过用 FRAM 代替 SRAM，客户能够冀望以下劣势。
1、升高总成本
应用 SRAM 的零碎须要继续查看电池状态。如果用 FRAM 替换后，客户能够从保护电池查看的累赘中解放出来。此外，FRAM 不须要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的装置空间。FRAM 的繁多芯片解决方案能够缩小空间和老本。
免保护：无需更换电池
设施小型化：能够缩小最终产品的元器件数量
2、环保产品
废旧电池会成为工业废料。通过用 FRAM 替换 SRAM + 电池，能够缩小备用电池。
缩小电池解决
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