关于存储技术:国产SRAM厂家伟凌创芯512Kbit串行SRAM芯片EMI7512NTMI

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安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一 SRAM 存储、显示驱动,接口转换芯片设计、生产及销售。公司领有国内出名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队,与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。深挖客户利用,依靠弱小的研发实力,交融世界前沿的技术理念疾速响应客户的变动需要,为行业客户提供高品质、低成本,供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品,产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。

国产 SRAM 厂家伟凌创芯 EMI7512NTMI 是一款串行动态随机存取存储器设施,存储器大小为 512Kbit。它在外部组织为 64K 字,每个字 8 位。该器件采纳最先进的 CMOS 技术设计和制作,以提供高速性能和低功耗。

EMI7512NTMI 采纳单片选 (CSN) 输出运行,并通过简略的串行 SPI 兼容接口(SPI:串行外设接口)拜访。单个数据输出和数据输入线与时钟一起用于拜访设施内的数据。该器件包含一个 HOLDN 引脚,容许在不勾销抉择器件的状况下暂停与器件的通信。暂停时,除 CSN 引脚外的输出转换将被疏忽。该器件可在 -40℃至 +85℃(工业级)的温度范畴内工作,并采纳节俭空间的 8 引脚 TSSOP 封装。代理商英尚微反对提供样品测试及相干技术支持。

TSSOP8L 封装

EMI7512NTMI 次要特点
•工作温度范畴:-40℃~+85℃
•电源电压范畴:2.7V~3.6V
•工作电流:最大 2mA@1MHz
•待机电流:最大 15µA@25℃
•内存大小:512kbit
•内存组织:65536×8 位
•32 字节页面
•SPI 兼容接口
•灵便的操作模式:
o 字节模式(BYTE)
o 页面模式(PAGE)
o 页面开始程序模式(PSEQ)
o 虚构芯片模式(VIRT)
•放弃通信暂停引脚
•最大时钟频率:20MHz
•TSSOP8L 封装

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