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ISSI IS61WV25616BLL 是一款采纳 ISSI 的高性能 CMOS 技术制作的高速 4Mb 疾速异步 SRAM 芯片，按 16 位 262,144 个字组织。这种高度牢靠的工艺与翻新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的器件。通过应用芯片使能和输入使能输出、可轻松扩大内存。低电平无效写使能 管制存储器的写入和读取。数据字节容许拜访高字节和低字节。采纳规范 44TSOPII 封装。
伟凌创芯国产 SRAM 芯片 EMI504WF16VA 是 4Mbit 异步疾速 SRAM 芯片，CMOS 低功耗待机，位宽为 256Kx16K 字，快速访问工夫 8ns、10ns、12ns，应用 16 条公共输出和输入线，并有一个输入使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址拜访工夫快。
EMI504WF16VA 具备 TTL 兼容输出和输入，三个状态输入，齐全动态操作，专为高速电路设计技术。采纳规范 44TSOP2 封装，它特地实用于高密度高速零碎利用。此款 EMI504WF16VA 可完满替换兼容 IS61WV25616BLL，代理商英尚国内有限公司反对提供样品测试及必要的 FAE 技术支持。
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一 SRAM 存储器、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。
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