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FRAM 是一种非易失性存储器产品，具备读写耐久性高、写入速度快、功耗低等长处。
富士通并行接口的 8Mbit FRAM MB85R8M2T。保障写入寿命超过 10 万亿次，运行速度与 SRAM 雷同，TSOP 封装与 SRAM 兼容。MB85R8M2TA 具备与 SRAM 兼容的并行接口，可在 1.8V 至 3.6V 的宽电源电压范畴内运行。
在疾速页面模式下，FRAM 可能运行到 25ns，在间断数据传输时，其访问速度与 SRAM 一样高。与富士通的传统 FRAM 产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且升高了功耗。该 FRAM 的最大写入电流为 18mA，比目前的产品低 10%，最大待机电流为 150µA，低 50%。
在某些状况下能够省去 SRAM 所需的数据备份电池。富士通的 FRAM 产品能够解决因用非易失性存储器取代 SRAM 而产生的以下问题：
问题：更改接口设计和 PCB 设计的额定工作
解决方案：应用与 SRAM 接口和 SRAM 封装兼容的 FRAM
问题：难以用写入速度十分慢的非易失性存储器代替
解决方案：应用具备疾速写入操作的 FRAM，页面模式下最大 25ns
问题：写入寿命高达 10 万亿次导致设计限度
解决方案：应用写入寿命高达 100 万亿次的 FRAM
正文完