FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，可能像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体个性制约，FRAM仍有最大拜访（读）次数的限度。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。

MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具备有限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可在断电时主动爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR3A16A是现实的存储器解决方案。

据韩媒报道，韩国市场曾经因为芯片短缺而陷入凌乱。自去年Q4继续至今，从车用芯片有余，再到手机芯片短缺而后又蔓延到电视、家电、PC、小型电子机器等电子产品，短缺景象让局部芯片产品价格飙涨至最高30倍以上，供给体系曾经解体…有供应链人士指出，韩国市场曾经因为芯片短缺而陷入凌乱。

EMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一SRAM，PSRAM等存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司领有国内出名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可…

与传统的存储技术相比，FRAM在须要非易失性、高速读写、低功耗、高读写持久等综合性能的应用领域体现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来，出货量更是超过了41亿颗！咱们富士通这么多的 FRAM 到底用到了哪些畛域呢？上面由富士通代理英尚微电子带大家一起来看看吧

EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制作。这些系列反对工业温度范畴和芯片级封装，以使用户灵便地进行零碎设计。该系列还反对低数据放弃电压，以低数据放弃电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理反对提供技术支持及样品测试。

4 月 22 日，清华大学发表成立集成电路学院。工业和信息化部副部长王志军，北京市委常委、教工委书记夏林茂，清华大学党委书记陈旭，校长邱勇，副校长杨斌、尤政独特为清华大学集成电路学院揭牌。

富士通型号MB85RS2MTA是采纳262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来造成非易失性存储单元。可能保持数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采纳串行外围设备接口SPI。

环境传感器&摄像，车联网通信技术和人工智能决策平台是主动驾驶技术的核心技术。传感器，CAN通信，infotainment这些零碎须要实时和继续地存储以后状态信息，并进行实时剖析和解决。因而须要进步存储器的性能和耐久性设计，这些要求使FRAM成为现实的存储抉择。

存储设备（次要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时隐没，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会隐没，这意味着数据一旦被写入，只有不进行擦除或重写，数据就不会扭转。FRAM是一种与Flash雷同的非易失性存储器。