共计 675 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
存储设备（次要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时隐没，如 DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会隐没，这意味着数据一旦被写入，只有不进行擦除或重写，数据就不会扭转。FRAM 是一种与 Flash 雷同的非易失性存储器。
富士通 FRAM 技术和工作原理
FRAM 是使用铁电资料（PZT 等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又能够像 RAM 一样操作。
•当一个电场被加到铁电晶体时，核心离子顺着电场的方向在晶体里挪动，当离子挪动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。外部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。
•移去电场后核心离子放弃不动，记忆体的状态也得以保留。
•资料自身的通畅个性的两个稳固点代表 0 或 1 的极化值。
FRAM 的特点
独特性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM 还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
其中 FRAM 写入次数寿命高达 10 万亿次、而 EEPROM 仅有百万次 (10^6)。同时，FRAM 写入数据可在 150ns 内实现、速度约为 EEPROM 的 1 /30,000，写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ、约为 EEPROM 的 1 /400，在电池供电利用中具备无可比拟的劣势。
富士通 FRAM 凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在 Kbit 和 Mbit 级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器 FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。
