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产品描述
MR3A16A 是一款 MRAM 非易失性存储器，位宽为 512K x 16。MR3A16A 提供 SRAM 兼容的 35ns 读 / 写时序，具备有限的耐久性。数据在 20 年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可在断电时主动爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR3A16A 是现实的存储器解决方案。
MR3A16A 非易失性 MRAM 提供小尺寸的 48 引脚球栅阵列（BGA）封装和 54 引脚的薄型小形状封装（TSOP Type 2）。这些封装与相似的低功耗 SRAM 产品和其余非易失性 RAM 产品兼容。MR3A16A 在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商业温度（0 至 +70°C）和工业温度（-40 至 +85°C）工作温度选项。everspin 代理英尚微驱动、例程以及必要的 FAE 反对。
引脚封装
MR3A16A 特色
•+3.3 伏电源
•35 ns 的疾速读写周期
•兼容 SRAM 的时序
•有限的读写耐久性
•温度下，数据始终保持非易失性超过 20 年
•合乎 RoHS 要求的小尺寸 BGA 和 TSOP2 封装
•所有产品均合乎 MSL- 3 湿度敏感度等级
益处
•一个存储器代替零碎中的 FLASH，SRAM，EEPROM 和 BBSRAM，以实现更简略，更无效的设计
•通过更换电池供电的 SRAM 来进步可靠性
对于 Everspin
Everspin 在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM 的制作和交付到相干利用中的常识和教训在半导体行业中是举世无双的。领有超过 600 多项无效专利和申请的知识产权产品组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。英尚微电子作为 everspin 的外围代理商, 所提供的 MRAM 具备高度牢靠的数据存储. 没有写提早，并且读 / 写寿命不受限制。
