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FRAM 的学术名字叫做 FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，可能像 RAM 一样操作，读写功耗极低，不存在 如 EEPROM 的最大写入次数的问题；但受铁电晶体个性制约，FRAM 仍有最大拜访（读）次数的限度。FRAM 在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打 EEFROM 和 FLASH。
FRAM 性能比 EEPROM 好的的三个劣势：
1、寿命，读写的次数比拟多，EEPROM 和 flash 都达不到 EEFROM 的读写次数；
2、功耗，同样写入 64byte 的数据，FRAM 的功耗仅仅是 EEPROM 的 1 /100，这样功耗越低，电池的使用寿命就越长；
3、读写速度，FRAM 的写入速度能够达到纳米秒，写入一个数据的工夫仅仅是 EEPROM 的 1 /3000。这么快的读写速度带来的另一个意想不到的益处就是霎时断电的时候，FRAM 的数据曾经写入，而 EEPROM 必定数据失落。
跟 FRAM 比 EEFROM 几乎就是战五渣啊！可是为什么用 FRAM 的客户还是多数呢？这就要谈到价格问题了。并不是技术好的产品就会风行，消费者更看重性价比。FRAM 的 Logic 局部比重太大，老本难以升高是一个难点。相比 EEPROM，FRAM 的存储容量切实是有一点捉急。在工艺上，FRAM 也很难冲破 100nm，因而大数据的存储还是更适宜留给 FLASH 或者 EEFROM，毕竟两者分工不同。
那么什么样的利用更适宜 FRAM 而非 EEFROM 呢？如果对存储容量没有太高要求，而又须要频繁的记录重要数据，又不心愿数据在断电中无奈爱护，这种利用比拟适宜 FRAM。比方汽车中用到的黑匣子，次要记录刹车信息以及事变前几秒的状况。“在日本、在欧洲、在韩国如果你把动员机关了，或者意外事故掉地上了，以后的模式、以后的状态肯定记下来，比如说进入隧道的时候，进入隧道那个通信没了，会先记录下来。
富士通 FRAM 凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在 Kbit 和 Mbit 级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器 FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。
