共计 824 个字符，预计需要花费 3 分钟才能阅读完成。
富士通型号 MB85RS2MTA 是采纳 262144 字 x8 位的铁电随机存取存储器芯片，应用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术来造成非易失性存储单元。可能保持数据，而无需应用 SRAM 所需的备用电池。MB85RS2MTA 采纳串行外围设备接口 SPI。
MB85RS2MTA 中应用的存储单元可用于 1013 个读 / 写操作，与 Flash 存储器和 E2PROM 反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85RS2MTA 不须要破费很长时间就能够写入闪存或 E2PROM 之类的数据，MB85RS2MTA 不须要等待时间。FUJITSU 代理可提供产品相干技术支持。
MB85RS2MTA 特色
•位配置：262,144 字 x8 位
•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）
对应于 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
•工作频率：40MHz（最大）
•高耐久性：1013 次 / 字节
•数据保留：10 年（+ 85°C），95 年（+ 55°C），200 年以上（+ 35°C）
•工作电源电压：1.8 V 至 3.6 V
•低功耗：工作电源电流 2.3mA（最大 @40 MHz）
待机电流 50μA（最大值）
休眠电流 10μA（最大值）
•工作环境温度（温度范畴：-40°C 至 + 85°C
•封装：8 针塑料 SOP（FPT-8P-M09）
8 针塑料 DIP（DIP-8P-M03）
合乎 RoHS
引脚
FRAM 具备个性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM 还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。其中 FRAM 写入次数寿命高达 10 万亿次、而 EEPROM 仅有百万次(10^6)。同时 FRAM 写入数据可在 150ns 内实现、速度约为 EEPROM 的 1 /30,000，写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ、约为 EEPROM 的 1 /400，在电池供电利用中具备劣势。与传统的存储技术相比，FRAM 在须要非易失性、高速读写、低功耗、高读写持久等综合性能的应用领域体现出众、口碑良好。
