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在 2019 寰球闪存峰会上，Everspin 作为寰球 MRAM 存储芯片龙头分享如何用 MRAM 这类非易失性存储和 NVMe SSD 构建将来的云存储的解决方案。
首先 STT-MRAM 作为异样掉电数据缓存的介质有以下几大劣势：
1. 非易失性存储器芯片，比传统的 SRAM 或者 DRAM 在数据放弃方面更强；
2. 芯片容量较大，单颗芯片容量高达 1Gb；
3. 采纳 DDR4 接口，带宽能够到 2.7GB/s，超强性能；
4. 擦写次数几十亿次！生命周期；
5. 超低提早；
6. 数据保存期很久：85 度低温下数据能够保留 10 年以上；
7. 数据错误率低；
8. 可靠性强。
MRAM 可利用在 NVMe SSD 的下列场景，PCIe SSD、NVMe-oF、全闪存阵列：
NVMe SSD 场景
MRAM 为 NVMe SSD，尤其是 QLC 做缓存有以下劣势：
采纳 MRAM 之后，NVMe SSD 外部的架构产生了以下图片的变动，将 MRAM 作为数据缓存应用，而 FTL 映射表存储仍然是 DRAM：
NVMe-oF 场景
数据中心采纳 NVMe-oF 有以下四大劣势：
1. 实现低于 1 微秒的数据传输，跳过内核、跳过主机 CPU 和内存、能够 P2P 传输；
2. 把 CPU 计算工作摊派到专用计算芯片或者存储控制器；
3. 读写带宽更高；
4. 服务器能够更简略、省电，不必低廉的 X86 CPU，用 ARM CPU 就够了。
以下图片是传统的 NVMe-oF 的数据流，要通过零碎内存和 CPU 再进入 NVMe SSD，这样会导致读写提早比拟长。
如果采纳了 MRAM 作为智能网卡上的缓存，数据就间接通过 P2P 传输给 NVMe SSD，并跳过了零碎内存和 CPU，大大缩短读写提早，也大幅晋升性能。
MRAM 用在全闪存阵列
在全闪存阵列的存储控制器中，MRAM 能够作为缓存减速，并晋升产品性能及可靠性，同时能够不须要额定的电池或者电容。
将来的数据中心存储长这样？
将来以 NVMe SSD 和 NVMe-oF 为根底的云存储硬件架构如下图，其中 MRAM 能够用在网卡缓存、NVDIMM、全闪存阵列减速和 NVMe SSD 外部。
Everspin 公司业余设计制作嵌入式 MRAM 和自旋传递扭矩 STT-MRAM 的领导者，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中提供了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-RAM 产品，为 MRAM 用户奠定了弱小，增长快的根底。Everspin MRAM 能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得 MRAM 实用于汽车，工业，军事和太空利用。Everspin 代理英尚微电子提供欠缺的产品解决方案及技术方面反对和领导.