共计 725 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
灵动 MM32F0010A1T 应用高性能的 ARM Cortex-M0 为内核的 32 位 MCU，工作频率可高达 48 兆赫兹，内置 SRAM 高速存储器，丰盛的增强型 I / O 端口和外设连贯到内部总线。MM32F0010A1T 蕴含 1 个 12 位的 ADC、1 个 16 位通用定时器、1 个 16 位根本定时器、1 个 16 位高级定时器。还蕴含规范的通信接口：1 个 I2C 接口、1 个 SPI 接口和 2 个 UART 接口。
MM32F0010A1T 工作电压为 2.0V~5.5V，工作温度范畴（环境温度）-40◦C~85◦C 惯例型和 -40◦C~105◦C 扩大型（V）。多种省电工作模式保障低功耗利用的要求。提供 TSSOP20 封装模式。灵动微 MM32F0010A1T 可兼容替换意法半导体 STM8S003F3P6. 灵动总代理英尚微电子可提供开发板测试和例程反对.
MM32F0010A1T 封装引脚
MM32F0010A1T 特点
性价比首选·8 位代替的最佳计划
20PIN 小封装·简略慷慨
高速 M0 外围·开发更有效率
高精密度 ADC·多达 8 通道
6 组 PWM 输入·具备死区性能
丰盛的串口新抉择
闪存次要个性
•高达 16K 字节闪存存储器
•存储器构造:
–主闪存模块: 最大 4K 字(4K×32 位)
–信息模块:
* 零碎存储器: 高达 1K 字节(1K×8 位)
* 选项字节: 高达 2×8 字节
闪存接口的个性为：
•带预取缓冲器的数据接口 (2×32 位)
•抉择字节加载器
•闪存编程 / 擦除操作
•拜访 / 写爱护
•低功耗模式
内置的 SRAM
内置最大可到 2K 字节的动态 SRAM。它能够以字节 (8 位)、半字(16 位) 或字 (32 位) 进行拜访。SRAM 起始地址为 0x20000000。
•数据总线上最大可到 2K 字节的 SRAM。能够被 CPU 用最快的零碎时钟且不插入任何期待进行拜访。