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NV-SRAM（非易失性 SRAM 或 NVRAM）是一种独立的非易失性存储器，业界最快的 NV-SRAM，具备有限的耐用性。可能在断电时立刻捕捉 SRAM 数据的正本并将其保留到非易失性存储器中，并容许在不耗费电力的状况下调用数据。非常适合须要疾速写入速度、高耐用性和即时非易失性的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)、智能仪表和网络路由器等数据记录利用。
NV-SRAM 的次要特色
快速访问 - 以 20ns 的速度执行随机拜访读写
有限耐力 - 提供有限的写入和读取
节俭空间 - 与 BBSRAM 相比占用更小的电路板空间
耐辐射 - 不受辐射引起的软谬误的影响
NV-SRAM 产品与 EEPROM 和 BBSRAM（电池反对 SRAM 或 BatRAM）解决方案相比，其耗费的无效电流更少。与电池反对的解决方案不同，NV-SRAM 存储器不须要内部电池来放弃电量。因而 NV-SRAM 实用于智能电表等数据记录利用。有限耐用性和即时非易失性确保 NV-SRAM 在多个数据记录利用中优于现有存储器（如 EEPROM 和 BBSRAM）。
特色 非动态 SRAM BBSRAM EEPROM
密度 中等偏上 中等偏上 低 中
耐力 无穷 无限 低
保留 高的 低 中等
附加电池 NO YES NO
写工夫 疾速 中等 减缓