共计 403 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
传统上，有两种办法能够减少应用程序的 ram：
应用更大的微控制器 (MCU)：如果必须购买更大、更低廉的 MCU 以取得更多 RAM，则此选项的吸引力较小
应用内部并行 RAM：但并行 RAM 应用大型封装，通常须要至多 16-20 个 I /O
串行 SRAM 提供了在设计中增加 RAM 的灵活性，而没有大型 MCU 或并行 RAM 的毛病，并应用简略的 4 针 SPI 接口。这些器件还通过 SDI 和 SQI 接口提供了更高的性能，可将数据速率进步多达 4 倍。
上面介绍一款可减少应用程序的 512Kbi 的 Serial SRAM 芯片 23LC512，需理解更多产品相干材料及技术支持可分割英尚微电子。
Microchip 型号 23LC512 容量 512Kbit 串行 SRAM，与当初许多 MCU 系列的串行外设接口端口连贯。它还能够通过应用在固件中正确编程以匹配 SPI 协定的离散 I / O 线与没有内置 SPI 端口的微控制器连贯。23LC512 还可能在 SDI/SQI 高速 SPI 模式下工作。
正文完
