内存耐久度指定为存储单元能够写入或擦除的次数。对于只管严格和宽泛应用仍须要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是要害的零碎性能特色和设计思考因素之一。铁电RAM或FRAM是一种疾速，非易失性和低功耗的存储器，与其余基于浮栅或相变技术的非易失性存储器相比，它具备高耐用性是其次要劣势之一。FRAM的“耐力”定义为疲…

赛普拉斯的NV-SRAM将规范疾速SRAM单元（拜访工夫高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供疾速的异步读写访问速度，并在其整个工作范畴内具备20年的数据保留。具备控制器的典型NV-SRAM接口如图1所示。

昨晚中芯国内官宣了蒋尚义获委任中芯国内董事会副董事长、第二类执行董事及策略委员会成员的音讯。此项任命于 2020 年 12 月 15 起正式失效。

15日晚间，中芯国内港交所发布公告发表，蒋尚义获委任为中芯国内第二类执行董事、董事会副董事长及策略委员会成员。随后网上流传出中芯国内联席CEO梁孟松的「辞职信」。

目前支流的MRAM利用巨磁阻效应( GMR）和磁性隧道结(MTJ)）的隧穿电阻效应来进行存储。以MTJ为例,其元胞构造包含自在层、隧道层和固定层3个层面（如图1所示)。自在层的磁场极化方向是能够扭转的,而固定层的磁场方向是固定不变的,在电场作用下电子会隧穿绝缘层势垒而垂直穿过器件，电流可隧穿的水平及MTJ的电阻均由2个磁性…

MRAM在读写方面能够实现高速化，这一点与动态随机存储器(SRAM)相似。因为磁体实质上是抗辐射的﹐MRAM芯片自身还具备极高的可靠性，即MRAM自身能够免受软谬误之害。

AMD 首席执行官 Lisa Su 取得了 2020 年半导体行业协会（SIA）最高荣誉 Robert N.Noyce Award 的获得者，Lisa Su 是该奖项自 1991 年设立以来第一位获奖的女性。

STT-MRAM是一种颠覆性技术，能够在从生产电子和集体计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多畛域，扭转产品的性能。它还有后劲在半导体工业中发明新的畛域，并使尚未构想的全新产品成为可能。STT-MRAM在要害的初始市场上已取代嵌入式技术（eSRAM，eFlash和DRAM），并提供65nm及更高的新性能。在汽车利用中比eFlash具备更高…

对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、老本、体积、寿命等。曾经有很多品种的产品做出了各种各样的致力，然而始终只能并重某一方面，而不是八面玲珑。兴许大家最为看重的是MRAM的非易失性，这确实是很迷人的，毕竟它让应用MRAM内存的电脑能够像电视或者收音机那样可能马上启动。除了MRAM…

MRAM己经成为存储芯片行业的一个技术热点.Everspin公司成为第一家提供商用产品的公司。Everspin MR2A16A是寰球第一款商用MRAM产品。该芯片基于Toggle写入模式，并与采纳铜互连技术的CMOS相集成。Everspin的MRAM单元采纳单个晶体管和磁性隧道构造，联合其受专利爱护的体系，以保障磁数据的牢靠写入。在MRAM研发畛域，Ever…