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STT-MRAM 是一种颠覆性技术，能够在从生产电子和集体计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多畛域，扭转产品的性能。它还有后劲在半导体工业中发明新的畛域，并使尚未构想的全新产品成为可能。STT-MRAM 在要害的初始市场上已取代嵌入式技术（eSRAM，eFlash 和 DRAM），并提供 65nm 及更高的新性能。在汽车利用中比 eFlash 具备更高的速度和更低的功耗，并且比 eSRAM 密度更高。
在便携式和手机利用中，它能够打消多芯片封装（MCP），提供对立的内存子系统，并升高零碎功耗以缩短电池寿命。在集体计算机中能够代替 SRAM 用于高速缓存，闪存用于非易失性缓存以及 PSRAM 和 DRAM 用于高速程序执行。
现在 STT-MRAM 能够在许多嵌入式应用中代替 NOR 闪存和 SRAM。非易失性存储应用 NOR 闪存存储代码，并将数据传输到 SRAM 充当缓冲区或高速缓存。例如低端手机同时应用 NOR 和 SRAM，能够很容易地用单个 STT-MRAM 芯片替换它们。
将 STT-MRAM 与最新的通用存储候选进行比拟，STT-MRAM 的读写工夫别离为 2 到 20 纳秒（ns），而相变 RAM（PRAM）的读取工夫为 20 到 50ns，写入的工夫为 30ns。此外 STT-MRAM 的耐久性在 >1015 时不受限制，而 PRAM 小于 1012。
只管这不是一项新技术，但 PRAM 最近受到了相当大的关注。许多当先的半导体公司都在 PRAM 上进行投资并开发本人的 IP。只管它是令人钦佩的技术，但与 STT-MRAM 相比，PRAM 具备无限的耐用性和较慢的速度。
硫族化物资料通常为 Ge2Sb2Te5，也称为 GST，用于 PRAM 中进行数据存储。PRAM 通过施加热量来利用硫属元素化物 GST 的结晶态和非晶态之间的可逆相变，其中结晶 GST 具备低电阻率，非晶 GST 具备高电阻率。数据“0”对应于结晶态，而数据“1”对应于非晶态。
状态之间的切换工夫大于 20ns，这意味着 PRAM 无奈取代 SRAM，因为它的运行速度相当慢。重置位状态所需的工夫必须较长。如果不是则相变资料冷却太快而无奈达到结晶状态。因为相的一直变动和施加到其上的热量，会导致资料劣化，因而耐久性无限。
RRAM 或电阻式存储器依赖于电场引起的电阻变动。与 PRAM 相比，它处于更晚期的倒退状态，然而在可靠性和耐用性方面也蒙受相似的问题。此外许多倡议的 RRAM 资料中波及的切换机制还没有失去很好的了解。
FRAM 或铁电 RAM 应用铁电资料存储极化。它蒙受无限的读取耐久性和破坏性读取过程。同样它的耐用性约为 1012 个周期，尽管实用于闪存更换，但不能用作通用内存。
Everspin Technologies，Inc 是设计制作和商业销售离散和嵌入式磁阻 RAM（MRAM）和自旋传递扭矩 MRAM（STT-MRAM）的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin MRAM 广泛应用在数据中心，云存储和能源及工业和汽车市场中。Everspin 代理商英尚微电子反对提供产品利用解决方案等技术支持。