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赛普拉斯的 NV-SRAM 将规范疾速 SRAM 单元（拜访工夫高达 20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供疾速的异步读写访问速度，并在其整个工作范畴内具备 20 年的数据保留。具备控制器的典型 NV-SRAM 接口如图 1 所示。
图 1. 带微控制器的 NV-SRAM 接口
高速 SRAM 单元提供了十分高速的读写访问，并且能够像规范 SRAM 中一样有限次地写入或读取 NV-SRAM。如果断电则利用存储在与 NV-SRAM 的 VCAP 引脚相连的小电容器中的电荷将 SRAM 中保留的数据传输到与每个 SRAM 单元集成的非易失性元件。NV-SRAM VCAP 引脚上须要的电容器只有几十 µF，典型值为 68 µF（无关 VCAP 的容许范畴，并在上电期间通过外部充电电路进行充电。VCAP 上存储的电荷足以在掉电期间将 SRAM 数据复制到非易失性元件（称为存储操作）。
此存储操作对应用程序是通明的，因为当 VCC 电源在阈值程度（VSWITCH）以下故障时会主动执行该存储操作。数据从 SRAM 到集成非易失性元件的并行传输意味着存储（将 SRAM 数据传输到非易失性元件）所破费的工夫等于一次 EEPROM 写（字节写或页写）操作。上电时非易失性数据会主动传送回 SRAM，这称为 RECALL 操作。这使 NV-SRAM 成为真正的非易失性存储器，能够在断电时将数据保留在其非易失性元素中，而无需任何内部电源备份，例如电池或 Supercaps。
NV-SRAM 中的 STORE 和 RECALL 操作也能够通过软件命令按需执行。NV-SRAM 具备许多其余性能，新应用程序能够应用这些性能。
与其余现有电路解决方案相比，赛普拉斯的 NV-SRAM 提供了最快，最牢靠的非易失性解决方案。