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星忆存储为电子工业提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存储器产品。专注于 XRAM 产品开发设计，提供低延时，低功耗和免刷新动态随机存储器产品致力于通过创新型存储技术商业化、产业化的过程，带动国产存储芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国家存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。接下来星忆代理商英尚微电子介绍 STM32F4 开发板 STM32F4 如何驱动外部 SRAM 芯片 XM8A51216。
STM32F407ZGT6 自带了 192K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32F4 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太够用，所以 STM32F4 开发板板载了一颗 1M 字节容量的 SRAM 芯片，XM8A51216，满足大内存使用的需求。我们将使用 STM32F4 来驱动 XM8A51216，实现对 XM8A51216 的访问控制。
XM8A51216 简介
XM8A51216 是星忆存储科技公司生产的一颗 16 位宽 512K（512*16，即 1M 字节）容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
⚫高速。具有最高访问速度 10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL 电平兼容。
⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
⚫三态输出。
⚫字节控制功能。支持高 / 低字节控制。
XM8A51216 的功能框图如图 1 所示：
图 1 XM8A51216 功能框图
图中 A0~18 为地址线，总共 19 根地址线（即 2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15 为数据线，总共 16 根数据线。CEn 是芯片使能信号，低电平有效；OEn 是输出使能信号，低电平有效；WEn 是写使能信号，低电平有效；BLEn 和 BHEn 分别是高字节控制和低字节控制信号；STM32F4 开发板使用的是 TSOP44 封装的 XM8A51216 芯片，该芯片直接接在 STM32F4 的 FSMC 上，XM8A51216 原理图如图 2 所示：
图 2 XM8A51216 原理图
从原理图可以看出，XM8A51216 同 STM32F4 的连接关系：
A[0:18] 接 FMSC_A[0:18]（不过顺序错乱了）
D[0:15] 接 FSMC_D[0:15]
UB 接 FSMC_NBL1
LB 接 FSMC_NBL0
OE 接 FSMC_OE
WE 接 FSMC_WE
CS 接 FSMC_NE3
上面的连接关系，XM8A51216 的 A[0:18] 并不是按顺序连接 STM32F4 的 FMSC_A[0:18]，不过这并不影响我们正常使用外部 SRAM，因为地址具有唯一性。所以只要地址线不和数据线混淆，就可以正常使用外部 SRAM。这样设计的好处，就是可以方便我们的 PCB 布线。
