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新兴的内存技术曾经呈现了数十年，它们曾经达到了一个临界点，在更多的利用中它们才有意义。
到 2029 年，新兴存储器市场的总收入无望达到 200 亿美元，这次要是通过取代现在效率较低的 NOR 闪存和 SRAM 等存储器技术，甚至取代 DRAM 销售额的一部分。随着将来工艺的缩减以及规模经济的进步，它们还将与现有的存储器技术更具竞争力，从而推动价格下降，从而使它们既能够作为独立的芯片也能够被嵌入 ASIC，微控制器甚至计算处理器中。
须要注意的三个次要新兴记忆是 PCRAM，MRAM 和 ReRAM。NOR 闪存和 SRAM 是要替换的次要候选产品。
只管 200 亿美元的数字听起来令人印象粗浅，但重要的是要记住，这是所有新兴内存的市场，MRAM 和 PCRAM 次要以 Intel Optane 的模式占据主导地位。
3D XPoint 的支出增长（再次以 Intel Optane 模式的 PCRAM）定为支出，到 2029 年将达到 160 亿美元，这要归功于其子 DRAM 价格。同时独立的 MRAM 和 STT-RAM 支出将靠近 40 亿美元，是 MRAM 在 2018 年收入的 170 倍以上。与 ReRAM 一起，MRAM 预计将竞争取代 SoC 中的大部分嵌入式 NOR 和 SRAM，甚至推动更大的支出增长。
新兴的存储器涵盖了宽泛的技术，然而须要留神的要害是 MRAM，PCRAM 和 ReRAM。曾经有一些离散的 MRAM 器件问世了，然而有很多对于代工厂应用专用芯片构建 ASIC 并用非易失性选项代替易失性存储器的探讨。这将是最大的推动因素之一。
NOR 闪存无奈扩大到超过 28 纳米，这也将注意力转移到了代替产品上。过来，在嵌入式应用程序（例如，MCU 或 ASIC）上领有新兴内存的惟一起因是，您须要它具备一些技术属性，然而却总是减少老本。可能应用较小的工艺节点替换 NOR 闪存的前景引起了人们的趣味。
值得关注的三个要害新兴存储器是 PCRAM，MRAM 和 ReRAM，因为 NOR 闪存和 SRAM 是要替换的次要候选产品。
总体而言，新兴存储器的经济也在改善，因为代工厂商不肯定必须增加另一个后端工艺，而是使其成为现有 CMOS 工艺的一部分，随着产量的减少和制作老本的升高，制作老本升高了。产量进步。这是“MRAM 的黄金时代”，因为随着代工厂商心愿将其构建到嵌入式芯片中，它有机会证实本人的数量，而 PCRAM 在其背地失去了英特尔 Optane 的反对。同时 ReRAM 在人工智能和机器学习利用中引起了很多关注。甚至 FRAM 依然存在，作为某些应用程序的黑马竞争者。
然而要说出赢家还为时过早，只管对新兴内存技术的前景很乐观，但依然很难在积重难返的技术上站稳脚跟。即便经济情况有所改善，也很难解脱领导位置。如果不是老本领先者，那么与已确立的技术相比，领有的所有这些令人赞叹的技术劣势实际上并不意味着很多。
