关于芯片:铁电存储器这样应对充电桩存储痛点

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中国往年提出了要求放慢 5G 网络和数据中心等新型基础设施建设进度,在新型基础设施建设七个畛域中,新能源充电桩在列。相比拟加油站的充电桩可能承载更多的信息,除电流外还有信息流、资金流等等。作为车联网数据采集的次要端口,充电桩网络的大面积建成肯定会成为将来社会交通系统的重要信息平台。
 
充电桩数据的记录和存储的十分重要的。充电桩是给新能源汽车提供电能的配套产品,充电桩在运作中须要解决大量的参数,通过零碎监测数据和事件信息,实现设施集中近程监控,为设施故障诊断提供必要的数据反对,也为电站综合治理提供全面的统计数据和各类统计报表。为此所有数据必须进行对立的采集、查看和剖析,并提供设施运行状态实时监测、危险正告与告诉、数据查问剖析、设施运行总额和治理等性能。
 
充电桩生产商须要筛选适合的存储芯片产品予以应答,其数据存储芯片的利用需要与智能表计十分类似。目前的铁电存储器在智能电表行业曾经作为规范存储器被宽泛采纳,其具备的三个劣势是许多同类型存储器芯片无法比拟的。FRAM 存储器的三大劣势别离是高速写入、耐久性以及低功耗。与 EEPROM 比照,FRAM 存储器写入次数寿命高达 10 万亿次,而 EEPROM 芯片却仅有百万次 (10^6)。富士通 FRAM 存储器写入数据可在 150ns 内实现,速度约为 EEPROM 存储器的 3 万倍。写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ,约为 EEPROM 的 1 /400,在电池供电利用中是具备有微小的劣势。

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH 主要参数比照

 
富士通 FRAM 可能进行高速写入且实现高速擦除。以保障数据安全为例,若遇到黑客守法盗取及剖析充电桩的秘密数据信息,将导致大范畴的信息泄露。对此低功耗和高速的 FRAM 能够利用小型电池电源,霎时消去重要数据,从而确保用户的信息安全。这时 FRAM 仅需 0.1mA 的工作电流,就可能在 0.3ms 的工夫内擦除 256bit 的数据,相比 EEPROM 领有显著的劣势。富士通代理商英尚微电子反对提供利用解决等产品服务。

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH 工作电流与消去工夫比照

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