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铁电存储器是一种交融了在断电的状况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个专长的铁电随机存储器（内存）。FRAM 的数据放弃不仅不须要备用电池，而且与 EEPROM、FLASH 等传统的非易失性存储器相比是具备优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。本篇文章次要介绍对于 FRAM 的耐久性。
耐力
SRAM 具备有限的耐久性，能够有限地对其进行读写。FRAM 具备高（数量），将应用程序限度为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳办法是通过设计晓得实现是正确的。这能够通过理解无关软件应用的一些细节来实现：
1. 理论应用的 SPI 实现是什么（SPI 数据宽度和时钟速率）？设置时钟和数据宽度也会影响间断拜访之间的工夫。
2. 产品在一段时间内处于闲置状态还是闲置状态？不流动的时间段（例如仅会在 50%的工夫内应用产品的应用模型）即便在拜访工夫较短的状况下也能够实现产品生命周期的指标。
3. 是否能够应用大型程序拜访来拜访要害数据结构？SPI 拜访容许程序操作，从而减少地址。仅通过将程序传输增加到这些设施拜访中，就能够缓解持久性问题。
4. 对软件中单个存储器地位进行操作之间最短的工夫是什么？这可能取决于所应用的数据结构（LIFO 与 FIFO），还是取决于存储器是否用作暂存器（两次应用之间的工夫，由 MCU 掂量）。这还取决于实现的 MCU 是否将 SPI 接口用作外围设备或用作内存映射设施。外围设备要求每个命令的设置和装配工夫，从而缩短了两次操作到同一地位的工夫。内存映射的设施可能须要测量程序的调用和返回，以确定两次堆栈操作之间最坏状况的工夫。
让咱们举一个例子来阐明如何计算产品设计中的 FRAM 耐久性。让咱们从设计的最坏状况开始：20MHzQSPI 间断运行。如果咱们看一下“歹意”软件在最坏状况下的 FRAM 耐用性（该软件只能永远以这种速率拜访一个字节），那么在 1014 个周期中，该部件的指定耐用性约为 1.71 年，对于大多数实现。如果咱们的指标是产品使用寿命为 10 年，则能够采纳以下任何缓解措施来实现这一指标。应用以下任何一种办法来确保不存在铁电存储器耐久性问题，因为将满足产品耐久性的所有设计要求。
•将时钟速率升高到 3.2MHz。
•每天仅应用 4 个小时。
•使传输大小为 28 个字节或更大。
•设计软件，以避免在 3.2 微秒内拜访同一地位。
