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自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术心愿用其下一代 MRAM 取代 DRAM，最终取代 NAND。它联合了 DRAM 的老本劣势，SRAM 的疾速读写性能以及闪存的非易失性。据说 STT-RAM 还解决了第一代现场替换 MRAM 的次要毛病。
STT-RAM 作为通用的可扩大存储器具备微小的潜在市场。它能够取代嵌入式 SRAM 和 45nm 的闪存，32nm 的 DRAM，并最终取代 NAND。STT-RAM 是一项很有前途的技术，从经济角度思考，STT-RAM 将取代 DRAM 还是 NAND。
多年来，FeRAM，MRAM，相变，RRAM 和其余技术的开发人员别离宣称，它们将成为最终的通用存储器，并取代当今的存储器。然而许多下一代存储器类型推向市场的工夫很晚，还没有达到高潮。并且明天的存储器持续扩大，从而打消了对下一代存储器类型的需要。
任何这些新技术（例如–FRAM，MRAM 和 PCM）都有很多机会来代替现有技术。他们所要做的就是降低成本，使其低于已建设的内存。听起来很简略，但实际上却十分艰难，这一挑战使这些技术中的任何一种都无奈达到临界品质。
MRAM 是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性的存储器。该技术具备有限的耐用性。STT-RAM 是第二代磁性 RAM 技术，能够解决惯例 MRAM 构造带来的一些问题。当初正在开发的大多数 MRAM 都是通过施加由流过隧道磁阻（TMR）元件左近的导线的电流产生的磁场来扭转磁化强度来写入数据的。这能够实现疾速操作。
飞思卡尔半导体公司的子公司 Everspin 将其 16 Mbit MRAM 定位为 SRAM 替换，数据保留和相干市场。在工业及相干的嵌入式应用中，Everspin 心愿取代电池供电的 SRAM 或相干的分立解决方案，此举威逼着赛普拉斯，ISSI，Maxim，意法半导体，TI 等公司。
STT 办法应用自旋极化电流来切换磁性位，这项技术耗费更少的功率并加强了可伸缩性。STT-RAM 通过对齐流经 TMR 元件的电子的自旋方向来写入数据。
