共计 810 个字符，预计需要花费 3 分钟才能阅读完成。
STM32MCU 个别状况下配置有 1~2MB 双块 Flash 存储器和 256KB SRAM，在某些利用设计中会呈现内置 RAM 有余的状况，须要对 STM32 单片机进行外扩 RAM 的解决，能够抉择更换更高 RAM 容量的单片机，除了价格贵还须要波及其余被动器件的更改，STM32 系列能够通过 FMSC 接口外扩并口 SRAM，比方采纳 ISSI 的 IS62WV51216，
IS62WV51216 SRAM 芯片是一个 8M 容量，组织构造为 512K*16 的高速率低功耗动态随机存储器。IS62WV51216 高性能 CMOS 工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。应用 IS62WV51216 的片选引脚和输入使能引脚，能够简略实现存储器扩大。
我司推出一款 IS62WV51216 的兼容替换物料 VTI508NL16，VTI508NL16 SRAM 芯片的容量达到了 512K×16bit，即为 8Mb，相当大的容量，可作为弱小微处理器的主缓存应用，能够 PIN TO PIN 兼容替换 IS62WV51216，VTI508NL16 产品应用 CMOS 高性能技术制作, 通常仅以 375mW 的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留性能，器件采 44TSOP2 引脚封装，VTI508NL16 SRAM 芯片的供电电压 VCC 的范畴为 2.7~3.6V，属于一般主板都能提供的弱电输出电压。
当然，其作为 SRAM 最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，持续保留曾经存储在芯片中的数据，并且其数据保留所需的电压 VDR 升高到 1.5V 最低，而所需的电流 IDR 更是低至 4μA 最大值，SRAM 芯片相比 DRAM 的长处在于不须要刷新电路就能保留外部存储的数据，而且更为疾速、低功耗。读写延时在 45/55ns 左右，堪称是响应极其迅速的一款产品，适宜用在需高速数据传输的设施当中。
规格书下载：IS62wv51216 兼容替换型号.pdf)
更多详情点击该链接：低功耗 SRAM 芯片选型