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FRAM 铁电存储器。它是一种采纳铁电资料 (PZT 等) 的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM 具备 ROM 和 RAM 的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防篡改方面具备劣势。
富士通 FRAM 次要具备三大劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比方 FRAM 写入次数寿命高达 10 万亿次，而 EEPROM 仅有百万次(10^6)。富士通 FRAM 写入数据可在 150ns 内实现，速度约为 EEPROM 的 1 /30,000。写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ，约为 EEPROM 的 1 /400，在电池供电利用中具备微小的劣势。富士通代理英尚微电子反对提供样品及产品技术支持等服务。
通过市场的长期宽泛验证以及技术的一直冲破，富士通 FRAM 产品已胜利利用于诸多行业畛域。近些年来，随着 IoT 以及汽车电气化等趋势不断涌现，富士通进一步推出更低功耗、或者车规级的 FRAM 产品，适应物联网设施、汽车电子等行业倒退，为客户提供高质量、高可靠性的解决方案。
在汽车电子畛域的 BMS 利用，采纳富士通型号 MB85RS256TY 和 MB85RS128TYFRAM 产品用于其自主研发 BMS 零碎中。同时，业界出名的一家意大利 FI 轮胎制造厂商亦采纳富士通 FRAM 产品用于胎压监测。凭借高耐久性、高速写入、高可靠性的个性，与通过车规级认证的产品劣势，富士通 FRAM 成为赋能要害型汽车利用的外挂存储器首选。
除了车规级铁电存储器 FRAM 产品赋能汽车电子利用外，富士通 FRAM 具备高烧写耐久性以及低功耗等个性，实用于零碎网关 (Gateway) 中记录与存储重要的数据。高可靠性 FRAM 更是实用于高端医疗畛域的为数不多的电子产品之一。目前富士通铁电存储器 FRAM 已胜利利用在 CT 扫描机、监护仪、主动 CPAP(间断正气道压力)设施、助听器、医疗电子标签等产品中，进步医疗行业的生产效率。
