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IS61LV25616AL 是 ISSI 公司的一款容量为 256Kx 16bits 的且引脚性能齐全兼容的 4Mb 的异步 SRAM。也是一款大容量且存储工夫绝对较短的存储器。对其管制要求绝对简略。由一个高速、4,194,304 位的动态 RAM, 可组成 262,144 个字(16 位)。该器件由 ISSI 的高性能 CMOS 技术制作而成。将这种高可靠性的解决技术与翻新的电路设计技术相结合，就产生了高性能和低功耗的 IS61LV25616AL 器件。ISSI 代理英尚微电子提供欠缺的产品解决方案以及技术领导等一体系产品服务。
个性
●高速拜访工夫: 10,12ns
●CMOS 低功耗工作
●低期待模式功率: 小于 CMOS 5mA (典型值)的期待电流
●TTL 兼容接口电平
●单个 3.3V 电源
●齐全动态操作: 无需时钟和刷新
●三态输入.
●高低字节数据管制
●可用的工业级温度
IS61LV25616AL 存储器的构造框图
当 OE 为高电平 (不选) 时，器件处于期待模式，功耗随着 CMOS 输出电平 - 起升高。
芯片使能输出 CE 和输入使能输出 OE 可不便实现存储器的扩大。低电平无效的写使能 (WE) 管制着存储器的写和读操作。高字节 (UB) 和低字节 (LB) 管制信号管制着对数据字节的拜访。
IS61LV25616AL 含有以下封装模式: JEDEC 规范 44 脚 400-mil SOJ.44 脚 TSOPTypelI.44 脚 LQFP 和 48 脚 MiniBGA(8mmX10mm)。
管脚配置
SRAM 的次要个性
高速拜访工夫 10,12ns ;CMOS 低功耗工作; 低期待模式功率小于 CMOS 5mA 典型值的期待电流; TTL 兼容接口电平; 单个 3.3V 电源; 齐全动态操作无需时钟和刷新; 三态输入; 高下字 节数据管制; 可用的工业级温度 SRAM 的生产厂商很多，然而所生产的 SRAM 的内部结构大同小异。