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XRAM 是一种旨在以具备竞争力的价格提供高密度和高性能 ram 的新型内存体系结构.XRAM 应用先进的 DRAM 技术和自刷新体系结构显着进步了内存密度并简化了用户界面。
XRAM 是一种基于先进的 DRAM 工艺，再联合星忆翻新的三态 DRAM 和免刷新 DRAM 两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的 DRAM 芯片和 SRAM，它具备以下特点：
• 老本 同等条件下晶圆面积节俭 30%，晶圆产出预估能够减少 25%
• 速度, 数据读取延时达到 10ns 级，相比 DRAM 要快 10 倍
• 存储密度, 单片反对 Mbit 和 Gbit
• 功耗, 存储阵列损耗缩小 40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，齐全随机拜访，进步总线利用率
• 高可靠性，反对 -40~125 摄氏度环境温度
XM8A01M16V33A 在性能上等效于异步 SRAM，是一种高性能 16M CMOS 国产 SRAM 存储器芯片，组织为 1024K 字乘以 16 位和 2048K 字乘以 8 位，反对异步 SRAM 存储芯片接口。
XM8A01M16V33A（1M×16）48 引脚 TSOP I 引脚排列
XM8A01M16V33A 特色
•异步 XRAM 芯片内存
•高速拜访工夫
•tAA = 10/12 纳秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz 时为 75 mA
•低 CMOS 待机电流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作电压范畴：2.2 V 至 3.6 V
•勾销抉择时主动掉电
•TTL 兼容的输出和输入
•提供 44 引脚 TSOP II，48 引脚 TSOP I 封装和 48 焊球 FBGA 封装
星忆存储专一于 XRAM 产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相干科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业改革和更进一步的倒退。星忆存储代理商英尚微电子反对提供驱动、例程、必要的 FAE 反对等技术支持。
