共计 848 个字符，预计需要花费 3 分钟才能阅读完成。
FRAM 存储器提供即时写入性能，有限的耐用性和靠近零的软错误率，以反对对性能平安规范的恪守。引起人们对用于汽车 EDR 的 FRAM 非易失性存储技术的趣味，因为其应用解决了这些毛病。
这些吸引人的个性是锆钛酸铅（PZT）是其中一种资料的铁电性能的后果。PZT 具备钙钛矿晶体结构，核心有一个阳离子（见图 1）。该阳离子能够处于两个地位之一，并且能够通过施加电场来切换地位。每个转换都会产生“开关电荷”（Q s），能够将其读取以示意逻辑 1 或 0。
图 1：FRAM 通过铁电资料 PZT 的极化存储数据。（起源：赛普拉斯半导体）
铁电存储器的操作与浮栅技术衍生的传统可写非易失性存储器的操作齐全不同，后者通过将电荷存储在位单元中来工作。闪存或 EEPROM 存储器应用电荷泵在芯片上产生高电压（10 V 或更高），并迫使电荷载流子通过栅极氧化物。这产生长的写入提早并且须要高的写入功率，这对存储单元具备破坏性。
相比之下，FRAM 的写入速度实际上是即时的 - 只需几皮秒。因为持续时间短，该写操作可由 FRAM 存储芯片的固有电容供电。这意味着，一旦将数据提供给设施的引脚，就能够保障即便零碎电源呈现故障也能够存储数据，并且无需电容器或任何其余内部电源。即时写入速度还意味着板上无需高速缓冲 SRAM 或 DRAM 存储器（见图 2）。
图 2：FRAM 的疾速写入速度可爱护应用 EEPROM 设施时可能失落的要害数据。（起源：赛普拉斯半导体）
铁电原理也具备有限的耐力。例如 cypress 半导体公司的 Excelon-Auto FRAM 存储设备的额外写入周期为 100 万亿次。这足以使其在 20 年内每 10 µs 记录一次数据，而无需应用简单的磨损平衡软件。
无效的汽车 EDR 施行将配对具备 2 Mb 或 4 Mb 密度的有限耐久性 FRAM 器件和高密度闪存。存储器通常将配置为间断存储最新的 1 到 5 s 的数据，而闪存阵列用于批量存储较旧的数据。对于 Excelon-Auto 设施，有一个串行外围设备接口，它应用规范的非易失性命令进行配置以及读写操作。cypress 代理商可提供相干产品技术支持。
