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Everspin Technologies，Inc 是设计制作 MRAMSTT-MRAM 的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和可靠性。完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品。领有超过 600 项无效专利和申请的知识产权组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。
MR1A16A 概述
MR1A16A 是一款具备 2097152 位的非易失性存储器并口 mram，组织为 131072 个 16 位字。MR1A16A 提供 SRAM 兼容的 35ns 读 / 写时序，具备有限的耐久性。数据在 20 年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可主动在断电时爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR1A16A 是现实的存储器解决方案。
MR1A16A 提供小尺寸的 48 引脚（BGA）封装和 44 引脚薄型小形状封装（TSOP Type2）。这些封装与相似的低功耗 SRAM 产品和其余非易失性 RAM 产品兼容。MR1A16A 在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商用（0 至 +70℃），工业（-40 至 +85℃），扩大（-40 至 +105℃）和 AEC-Q1001 级（-40 至 +125℃）工作温度范畴选项。Everspin MR1A16A MRAM 可替换赛普拉斯 FM28V202A 铁电 FRAM。Everspin 代理英尚微提供驱动例程等技术支持。
MR1A16A 引脚配置
特色
•35ns 的疾速读 / 写周期
•SRAM 兼容时序，无需从新设计即可应用现有 SRAM 控制器
•有限的读写耐力
•数据在超过 20 年的温度下放弃非易失性
•一个存储器代替了零碎中的 Flash，SRAM，EEPROM 和 BBSRAM，从而实现了更简略，更高效的设计
•用 MRAM 代替电池供电的 SRAM 解决方案，以进步可靠性
•3.3V 电源
•断电时主动数据保护
•商业，工业，扩大温度
•AEC-Q1001 级选项
•所有产品均合乎 MSL- 3 湿度敏感度等级
•合乎 RoHS 的 SRAM TSOP2 和 BGA 封装
