共计 1060 个字符，预计需要花费 3 分钟才能阅读完成。
世界上最早的全电子化存储器是 1947 年诞生的，其原理是用阴极射线管在屏幕外表上留下记录数据的“点”。从那时起，计算机内存开始应用磁存储技术并经验了数代演变，相干零碎包含磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。从 1970 年代开始，支流的集成半导体存储器则次要分为三类：动静随机存取存储器 (DRAM)、动态随机存取存储器 (SRAM) 和闪存。
计算机内存次要是 DRAM 和 SRAM。SRAM 则具备最快的片上缓存。已经验了数十年的倒退。SRAM 不须要周期性刷新就能锁存“0”和“1”信号，影响其倒退的次要因素则是单元面积和读取速度。
MCU 通常是基于 SRAM 和闪存的混合应用，MCU 个别状况下配置有 1~2MB 双块 Flash 存储器和 256KB SRAM，在某些利用设计中会呈现内置 RAM 有余的状况，须要对 STM32 单片机进行外扩 RAM 的解决，能够抉择更换更高 RAM 容量的单片机，除了价格贵还须要波及其余被动器件的更改，STM32 系列能够通过 FMSC 接口外扩并口 SRAM，比方采纳国产 SRAM 芯片 EMI7064.
我司英尚微介绍以下 SRAM 芯片作为外扩的思考
1. 串口 SRAM 芯片：这种封装是 SOP- 8 的串口 SRAM 芯片，个别举荐用 EMI7064 这一款，容量能够达到 64Mbit, 占用占用单片机的 I / O 脚位比拟少，较多的利用在各类产品中，性价比比拟高的一款 SRAM 芯片产品。
2. 并口 SRAM 芯片：个别并口 SRAM 芯片占用单片机的 I / O 脚位比拟多，可能在利用设计中须要读取速度较快的能够思考用这种，数据读取速度能够达到 8NS，因为是属于六个晶体管的设计，在价格上比拟贵，适宜用于以下大型工控类产品，服务器，金融医疗等产品。
3. 伪动态 SRAM 芯片（也称 PSRAM）：这款封装个别是 BGA 的，容量同样能够达到 64Mbit, 速度个别在 70ns 左右，价格绝对比并口 SRAM 芯片要便宜。
总体来看，个别看利用设计对外扩 SRAM 芯片的数据读取速度要求多少，容量以及性价比来抉择 SRAM 芯片。
Part Number Vcc Range MHz (max) Density Temp. Ranges Package
EMI7064LSME 1.6V~2.0V 20 64Mb -25°C~+85°C 8pin SOIC
EMI7064MSMI 2.7V~3.3V 20 64Mb -40°C~+85°C 8pin SOIC
EMI7064MSME 2.7V~3.3V 20 64Mb -25°C~+85°C 8pin SOIC
EMI7064LSMI 1.6V~2.0V 20 64Mb -40°C~+85°C 8pin SOIC
