关于存储:铁电存储器常见问题解决方案

FRAM（铁电 RAM）是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如 EEPROM、闪存）相比，铁电存储器不须要用于数据保留的备用电池，具备更高的读 / 写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。铁电存储器是一种具备高读写耐久性和疾速写入速度，功耗低等长处的高性能和高可靠性存储器。

本篇文章铁电存储器代理商英尚微电子介绍对于应用其余存储芯片的常见问题和解决方案。

状态：应用 EEPROM
问题：因为写耐久性标准的限度，难以更频繁地记录数据
解决方案：应用 FRAM 保障 10 万亿读 / 写周期

状态：应用 EEPROM
问题：有突发事变或断电写入数据失落的危险
解决方案：应用具备疾速写入性能的 FRAM，以爱护断电写入数据

状态：应用 SRAM
问题：难以取出电池以保留数据
解决方案：应用 FRAM 作为非易失性存储器

总之，铁电存储器产品为客户带来了诸如缩小开发累赘、加强客户产品性能和降低成本等益处。