关于存储:双电源8位IO并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R

MR256D08BMA45R 是一款容量为 256Kb 的磁阻随机存取存储器 MRAM 存储芯片，组织为 32×8 位字。它反对 +1.65 至 +3.6 伏的 I / O 电压。MR256D08BMA45R 提供与 SRAM 兼容的 45ns 读 / 写时序，具备有限的耐用性。

MR256D08BMA45R 的数据放弃期长达 20 年以上而不会失落，并会在掉电时由低压克制电路主动提供爱护，以避免在非工作电压期间写入。是必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用的现实内存解决方案。

此款 Everspin 并口 MRAM 芯片能在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。封装采纳 48BGA)，并行 MRAM 是大多数手机、挪动设施、膝上机、PC 等数字产品的存储器的潜在代替产品。