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新兴的记忆曾经存在了数十年。只管有些人曾经发现嵌入式技术在商业上获得了肯定水平的胜利，但它们也落后于离散存储器的高性价比代替计划。只管具备更高的性能，耐用性和保留性，或者升高了功耗。
磁阻随机存取存储器（MRAM）最早于 1980 年代开发，并被推广为通用存储器。与其余存储技术不同，MRAM 将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。在性能方面因为应用足够的写入电流，因而 MRAM 与 SRAM 相似。然而这种依赖性也障碍了它以更高的密度与 DRAM 和闪存竞争的能力。
只管诸如 Everspin 之类的 MRAM 先驱曾经在离散利用的嵌入式市场中获得了一些胜利，甚至证实它能够解决汽车利用的极其环境，但 MRAM 依然是一个利基存储器。
相似电阻式随机存取存储器（ReRAM）尚未成为可行的分立存储器。甚至它在嵌入式市场上的胜利也受到了限度。与传统的嵌入式闪存技术相比，它的吸引力包含更低的功耗，更少的解决步骤和更低的电压。它还具备太空和医疗利用的辐射耐受性。
在过来的二十年中，数家公司始终在开发 ReRAM 技术，然而该办法依然面临集成和可靠性方面的挑战。像磁阻电阻一样，ReRAM 供应商在开发嵌入式 ReRAM 器件方面获得了一些停顿，以减少可用于分立开发工作的支出。Weebit Nano 与钻研合作伙伴 Leti 单干，以使分立的 ReRAM 在商业上可行。同时持续摸索该记忆在神经状态和 AI 利用中的后劲。
Weebit NAno 的 ReRAM 技术应用了两个金属层，两头有一个氧化硅层，由可用于现有生产线的资料组成。
其 ReRAM 技术的吸引力在于，它利用了可用于现有生产线的资料。
一旦 FRAM 和 MRAM 及 ReRAM 通过资格审查，这将在嵌入式应用程序中发明一个机会。MRAM 和 ReRAM 依然是新兴的存储器，与此同时其客户正在意识到对疾速，便宜内存（如 DRAM）的需要。这是一种便宜的内存扩大性能。它容许低成本和内存密集型应用程序。
