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首先咱们解释一下 FRAM 是什么。FRAM 是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模仿器件、存储器件等各种器件。
FRAM 是 DRAM 和闪存等存储设备之一。FRAM 代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它应用铁电元件来存储数据。上面富士通代理英尚微介绍对于铁电存储器 FRAM 的个性。
◼四种 FRAM 个性
FRAM 具备其余传统内存产品所不具备的四个突出个性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
通过四大个性，FRAM 能够满足客户对存储设备的要求，例如获取更多数据和爱护写入数据。
◼与其余内存的比拟
表 1 显示了与其余可替换为 FRAM 的 EEPROM、闪存、SRAM 存储设备的比拟。
FRAM 比非易失性存储器的 EEPROM 和 Flash 存储器具备更好的“保障写入周期”和“写入周期时间”个性。尽管 SRAM 须要数据备份电池来保留数据，但 FRAM 不须要它，因为它是非易失性存储器。
因为上述起因，FRAM 绝对于其余传统存储设备具备劣势。
◼FRAM 个性ー高读 / 写耐久性
首先是“高读 / 写耐久性”。
“高读写耐久性”意味着内存能够屡次读写数据。这个数字越高，您能够读写的数据就越多。
FRAM 保障最多 10 万亿次写入，相当于 EEPROM 的 100 万次写入 100 万次。尽管一些新的 EEPROM 能够保障 400 万次写入，但与 FRAM 的数字差别依然很大。
10 万亿次写入意味着您能够在很短的工夫内重写数据，每 0.03 毫秒一次，间断 10 年。在失常应用状况下，这个值意味着简直有限，应用 FRAM，您能够取得比应用 EEPROM 更频繁和精确的数据。
通过应用具备这一优异个性的铁电存储器，客户能够高频率和高精度地收集数据。因而客户能够通过理解他们以前看不到的简单数据曲线来理解数据的实在行为。
◼FRAM 个性ー疾速写入速度
接下来，咱们持续“疾速写入速度”。
FRAM 中实现写操作的工夫比 EEPROM 短。这意味着铁电存储器具备更快的写入速度。
EEPROM 须要长达 5ms 的写入工夫，因为在写入操作之前须要进行耗时的擦除操作。而 FRAM 不须要这种擦除操作，只笼罩数据，更简略，因而写入工夫短至 150ns，比 EEPROM 快 33000 多倍。通过这种疾速写入，即便忽然断电，也能够在断电前实现写入操作。
实际上咱们应用咱们的演示板进行了 100 屡次数据写入失败测试。后果它察看到 FRAM 没有写入谬误，而 EEPROM 每 3 次测试就有一个写入谬误。
即便通过该测试，咱们也确认即便在忽然断电的状况下，FRAM 中也不太可能产生写入谬误。
◼FRAM 个性ー降低功耗
第三个特点是“低功耗”。
当咱们专一于写操作时，FRAM 能够升高 92% 的功耗。这是因为 FRAM 的写入工夫比 EEPROM 短很多。
差别取决于条件，但在十分频繁的数据记录下运行时，FRAM 有助于升高客户最终产品的功耗。
FRAM 是一种非易失性存储器，不须要像 SRAM 那样的数据放弃电流。因而客户将不再须要将 SRAM 替换为 FRAM 的数据备份电池。
